采用CGSim晶體生長(zhǎng)軟件,對(duì)現(xiàn)有工業(yè)單晶爐中的加熱器位置進(jìn)行優(yōu)化并分析了其對(duì)熱場(chǎng)、固液界面、晶體中溫度梯度和氧含量的影響。結(jié)果表明,隨加熱器的上移,功率消耗略有降低,熔體內(nèi)的溫度梯度逐漸下降,在高堝位的生長(zhǎng)條件下可以適當(dāng)提升拉晶速率;同時(shí),固液界面也趨于平坦,晶體中的溫度梯度有所減少,從而可以有效地抑制缺陷的形成。另外,晶體中的氧含量也有一定程度的下降�？梢缘贸�,在晶體等徑生長(zhǎng)初期,提高加熱器的位置是降低晶體生長(zhǎng)成本和提升晶體品質(zhì)的途徑之一。 

【文章來源】：硅酸鹽通報(bào). 2016,35(11)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 模型建立與計(jì)算參數(shù)
3 結(jié)果與討論
    3.1 加熱器/坩堝相對(duì)位置對(duì)爐內(nèi)溫度場(chǎng)的影響
    3.2 加熱器/坩堝相對(duì)位置對(duì)晶體品質(zhì)的影響
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]異型加熱器在直拉硅單晶爐中的應(yīng)用[J]. 呂菲,耿博耘.  中國電子科學(xué)研究院學(xué)報(bào). 2015(06)
[2]加熱器直徑對(duì)200mm太陽能級(jí)單晶硅加熱效率、能耗和氧含量的影響[J]. 高農(nóng)農(nóng),葛林.  硅酸鹽通報(bào). 2015(12)
[3]直拉單晶爐減薄型加熱器的數(shù)值模擬與實(shí)驗(yàn)分析[J]. 耿博耘,韓煥鵬.  電子工業(yè)專用設(shè)備. 2015(03)
[4]直拉法硅晶體生長(zhǎng)中單晶爐坩堝內(nèi)熔體的數(shù)值模擬[J]. 弋英民,張潼,劉丹.  西安理工大學(xué)學(xué)報(bào). 2014(04)
[5]氬氣流速對(duì)400mm大直徑磁場(chǎng)直拉單晶硅固液界面、熱應(yīng)力及氧含量的影響[J]. 李進(jìn),張洪巖,高忙忙,周銳,薛子文,梁森,李國龍,李海波,何力軍.  人工晶體學(xué)報(bào). 2014(05)
[6]熱屏位置對(duì)直拉硅單晶V/G、點(diǎn)缺陷和熱應(yīng)力影響的模擬[J]. 張向宇,關(guān)小軍,潘忠奔,張懷金,曾慶凱,王進(jìn).  人工晶體學(xué)報(bào). 2014(04)
[7]直拉硅單晶熱場(chǎng)加熱器設(shè)計(jì)分析[J]. 黃建明,楊曉欣.  炭素技術(shù). 2013(06)
[8]坩堝在線圈中位置對(duì)大直徑SiC單晶溫度場(chǎng)影響[J]. 王英民,毛開禮,徐偉,侯曉蕊.  電子工藝技術(shù). 2011(06)
[9]4英寸<111>硅單晶制備中的“斷棱”與“掉苞”問題[J]. 裴志軍,紀(jì)秀峰,劉峰.  半導(dǎo)體雜志. 1998(03)



本文編號(hào)：3331820