碳化硅（silicon carbide,Si C）器件作為一種寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點(diǎn)。近20年來(lái),Si C器件是國(guó)內(nèi)外學(xué)術(shù)界和企業(yè)界的一大研究熱點(diǎn),該文對(duì)近些年來(lái)不同Si C器件的發(fā)展進(jìn)行分類梳理,介紹二極管、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管、金氧半場(chǎng)效晶體管、絕緣柵雙極型晶體管及門極可斷晶閘管器件,并對(duì)比分析器件結(jié)構(gòu)及參數(shù)性能,針對(duì)關(guān)鍵問(wèn)題展開(kāi)論述。最后,對(duì)SiC器件近年的發(fā)展進(jìn)行總結(jié)和展望。 

【文章來(lái)源】：中國(guó)電機(jī)工程學(xué)報(bào). 2020,40(06)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：13 頁(yè)

【部分圖文】：

SiC功率器件阻斷電壓與比導(dǎo)通電阻的關(guān)系比101103104105102阻斷電壓/VTMOSFETIGBTGTO

較遠(yuǎn)，需通過(guò)生長(zhǎng)缺陷密度更低的碳化硅外延材料以及開(kāi)發(fā)成熟的增強(qiáng)壽命的工藝以滿足實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)合大電流的需求。在開(kāi)關(guān)器件中，JFET器件較為特殊，一般使用USCi公司的級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特性與MOSFET相類似，但驅(qū)動(dòng)對(duì)開(kāi)關(guān)速度等參數(shù)的控制能力削弱。MOSFET器風(fēng)力發(fā)電電動(dòng)汽車高鐵直流輸電服務(wù)器、電信設(shè)備電源現(xiàn)有碳化硅器件能滿足的應(yīng)用范圍現(xiàn)有碳化硅器件還未能滿足的應(yīng)用范圍101電流等級(jí)/A100104102103103104102電壓等級(jí)/V光伏逆變圖9SiC功率器件主要應(yīng)用場(chǎng)合Fig.9MajorapplicationareasofSiCpowerdevices

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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[2]常關(guān)型亞微米溝道1200V SiC MOSFET[J]. 黃潤(rùn)華,陶永洪,柏松,陳剛,汪玲,劉奧,衛(wèi)能,李赟,趙志飛.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2014(05)
[3]Development of 10 kV 4H-SiC JBS diode with FGR termination[J]. 黃潤(rùn)華,陶永洪,曹鵬飛,汪玲,陳剛,柏松,栗瑞,李赟,趙志飛.  Journal of Semiconductors. 2014(07)
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本文編號(hào)：3331786