發(fā)布時間：2021-08-09 09:05

　　碳化硅（silicon carbide,Si C）器件作為一種寬禁帶半導(dǎo)體器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低等優(yōu)點。近20年來,Si C器件是國內(nèi)外學(xué)術(shù)界和企業(yè)界的一大研究熱點,該文對近些年來不同Si C器件的發(fā)展進行分類梳理,介紹二極管、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、金氧半場效晶體管、絕緣柵雙極型晶體管及門極可斷晶閘管器件,并對比分析器件結(jié)構(gòu)及參數(shù)性能,針對關(guān)鍵問題展開論述。最后,對SiC器件近年的發(fā)展進行總結(jié)和展望。 

【文章來源】：中國電機工程學(xué)報. 2020,40(06)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：13 頁

【部分圖文】：

SiC功率器件阻斷電壓與比導(dǎo)通電阻的關(guān)系比101103104105102阻斷電壓/VTMOSFETIGBTGTO

較遠，需通過生長缺陷密度更低的碳化硅外延材料以及開發(fā)成熟的增強壽命的工藝以滿足實際應(yīng)用場合大電流的需求。在開關(guān)器件中，JFET器件較為特殊，一般使用USCi公司的級聯(lián)結(jié)構(gòu)，其特性與MOSFET相類似，但驅(qū)動對開關(guān)速度等參數(shù)的控制能力削弱。MOSFET器風力發(fā)電電動汽車高鐵直流輸電服務(wù)器、電信設(shè)備電源現(xiàn)有碳化硅器件能滿足的應(yīng)用范圍現(xiàn)有碳化硅器件還未能滿足的應(yīng)用范圍101電流等級/A100104102103103104102電壓等級/V光伏逆變圖9SiC功率器件主要應(yīng)用場合Fig.9MajorapplicationareasofSiCpowerdevices

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3331786