減少器件的界面損耗從而提升其發(fā)光性能一直是發(fā)光二極管領(lǐng)域一個重要的研究熱點。本文采用標準半導體工藝在硅襯底上制備了GaN基車輪形發(fā)光器件。采用各向同性濕法蝕刻工藝將器件懸空,比較并研究了懸空對器件的性能,包括光強、半高寬、波長漂移、3 dB帶寬等的影響。由于減小了光損耗,在懸空結(jié)構(gòu)中腔效應更加明顯,器件的電致發(fā)光和通信性能得到了提升。本研究對電驅(qū)動光源的制備和可見光通信具有重要意義。 

【文章來源】：發(fā)光學報. 2020,41(09)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【文章目錄】：
1 Introduction
2 Experiments
3 Results and Discussion
4 Conclusion



本文編號：3326129