制備了結(jié)構(gòu)為ITO/PEDOT∶PSS/polyvinylcarbazole（PVK）/carbon quantum dots（CDs）/LiF/Al的電致發(fā)光器件。器件的發(fā)光光譜顯示:在電壓從7 V增大到13 V的過程中,光譜峰值從380 nm移動(dòng)到520 nm,色坐標(biāo)由（0.20,0.20）移動(dòng)到（0.29,0.35）。經(jīng)與PL光譜對(duì)比認(rèn)為,EL光譜包含了PVK與碳量子點(diǎn)的雙重貢獻(xiàn),隨著電壓的增大,碳量子點(diǎn)的發(fā)射逐漸增強(qiáng),PVK發(fā)光先增強(qiáng)后減弱。結(jié)合器件能級(jí)結(jié)構(gòu)討論了器件的發(fā)光機(jī)制,認(rèn)為低電場(chǎng)下的PVK兼具發(fā)光層和電子阻擋層的功能,EL光譜為PVK層和碳量子點(diǎn)的發(fā)光疊加;隨著電場(chǎng)強(qiáng)度的增大,碳量子點(diǎn)和PVK界面區(qū)的空間電荷阻止了電子向PVK的傳輸,光譜轉(zhuǎn)變?yōu)橛商剂孔狱c(diǎn)和激基復(fù)合物的共同貢獻(xiàn)。 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報(bào). 2016,37(07)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
    2.1 碳量子點(diǎn)電致發(fā)光器件制備
    2.2 測(cè)試
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]PVK空穴傳輸層對(duì)Ndq3近紅外發(fā)光二極管性能的影響[J]. 陳義鵬,辛傳禎,羅程遠(yuǎn),王麗師,葛林,張曉松,徐建萍,李嵐.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2013(07)
[2]一種基于藍(lán)色熒光與磷光敏化技術(shù)的高顯色指數(shù)白光有機(jī)電致發(fā)光器件的制備[J]. 張世明,陳宇,王學(xué)會(huì),張振松,岳守振,趙毅,劉式墉.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2012(01)
[3]PVK三線態(tài)激基復(fù)合物的發(fā)光及其受紫外光輻照的影響[J]. 孫力,邵喜斌,錢磊,趙謖玲.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2010(03)



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