釕作為下一代14 nm超大規(guī)模集成電路阻擋層新材料,有著重要的研究意義,然而對(duì)阻擋層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光時(shí),由于Ru和Cu的化學(xué)性質(zhì)與硬度均不相同,Ru和Cu很難達(dá)到適合的速率選擇比。研究了在以NaClO為氧化劑時(shí),磨料質(zhì)量分?jǐn)?shù)、pH值、NaClO溶液體積分?jǐn)?shù)、FA/OⅠ螯合劑體積分?jǐn)?shù)以及抗蝕劑BTA對(duì)Ru化學(xué)機(jī)械拋光的影響,同時(shí)研究了NaClO和FA/OⅠ螯合劑的協(xié)同作用對(duì)Ru和Cu的去除速率和電偶腐蝕的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,以NaClO為氧化劑時(shí),隨著pH值升高,Ru去除速率和靜態(tài)腐蝕速率均隨之升高,NaClO能夠大幅度提高Ru和Cu的去除速率,FA/OⅠ螯合劑的加入能夠小范圍提高Ru和Cu的去除速率,同時(shí)FA/OⅠ螯合劑可以減緩Ru和Cu之間的電偶腐蝕,最終通過(guò)調(diào)節(jié)抗蝕劑的質(zhì)量濃度,可以實(shí)現(xiàn)Ru和Cu速率可控,達(dá)到合適的速率選擇比。 

【文章來(lái)源】：微納電子技術(shù). 2017,54(03)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：7 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 實(shí)驗(yàn)
2 結(jié)果與討論
3 結(jié)論



本文編號(hào)：3318574