太赫茲波作為最后被人類研究的電磁波頻段,早年間受制于太赫茲源和探測器的研究進展,太赫茲的應用方向尚未得到很好的發(fā)展。目前,太赫茲波頻段展示出的廣大應用前景已經(jīng)涵蓋國防、醫(yī)療、通信、環(huán)境等多個領域。在太赫茲器件的研究領域中,太赫茲波調(diào)制器為多種太赫茲技術(shù)所必需。本論文中,我們制備了一種基于MIS電容的太赫茲波調(diào)制器,詳細研究了該調(diào)制器在施加激光和施加偏置電壓作用下對太赫茲波的調(diào)制性能,同時對器件制作中所涉及的工藝進行了研究。本文中,我們首先討論了制備石墨烯/氮化硼/P型硅MIS電容器的實驗工藝,并對其進行了相應的優(yōu)化處理。然后對基于石墨烯與氮化硼構(gòu)成的二維異質(zhì)結(jié)增強的光控太赫茲波調(diào)制器進行了研究。石墨烯/氮化硼異質(zhì)結(jié)修飾的硅與僅石墨烯修飾的硅對比后發(fā)現(xiàn),在外加激光為100mW時其調(diào)制深度最大可增加一倍,調(diào)制深度隨頻率衰減也因為氮化硼的引入變小。這是由于氮化硼擁有較大的禁帶寬度和較小的厚度,氮化硼薄膜的引入能夠進一步有效的分離光生的電子和空穴,使得石墨烯對硅的修飾作用進一步增強。之后我們利用氮化硼良好的絕緣性和石墨烯良好的導電性代替MIS電容器中的介電層和金屬層制備了基于MIS電容的太赫茲... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：67 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１太赫茲波段在電磁波譜中的位置??

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【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3303915