在Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體材料中,銻化銦（InSb）基化合物半導(dǎo)體材料具有最高的常溫載流子遷移率和最小的帶隙,在電場作用下具有優(yōu)異的電子輸運(yùn)性能,因此是制作波長在3～5 Mm范圍的紅外探測器和成像系統(tǒng)的重要材料。氮化銦鋁（InAlN）是一種直接帶隙材料,其禁帶寬度從0.7eV（InN）到6.2 eV（AlN）連續(xù)可調(diào),涵蓋從紅外（IR）到紫外（UV）的寬光譜范圍,這使其滿足全光譜的光電器件制作的需求。而近年來,對(duì)InAlN/GaN基的遷移率晶體管的研究及應(yīng)用也受到人們的廣泛關(guān)注。本文討論的InSb/GaAs和InAlN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)在未來的半導(dǎo)體光電子、微電子結(jié)構(gòu)、高溫和大功率等器件的設(shè)計(jì)和制作都具有非常重要的研究價(jià)值。為了進(jìn)一步改善InSb和InAlN薄膜的晶體質(zhì)量,促進(jìn)半導(dǎo)體材料的工業(yè)生產(chǎn),了解這類材料隨溫度變化的光學(xué)性質(zhì)、晶體結(jié)構(gòu)的內(nèi)部信息、應(yīng)力分布等變得尤為重要�；谶@些因素,本論文對(duì)InSb/GaAs材料進(jìn)行了多光譜技術(shù)表征與分析,對(duì)InAlN/GaN材料進(jìn)行了變溫橢圓偏振光譜分析。本文首先介紹和闡述InSb和InAlN材料的基本性質(zhì)及其研究現(xiàn)狀和存在的問題,然后介紹材料的非破壞性表... 

【文章來源】：廣西大學(xué)廣西壯族自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：70 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－１半導(dǎo)體單晶的晶體結(jié)構(gòu)圖??

ＩｎＳｂ是具有金屬光澤的化合物型半導(dǎo)體，原子間不僅是依靠共價(jià)鍵結(jié)合，而且還有??－定了離子鍵成分，因此，ＩｎＳｂ是屬于直接窄禁帶極性的半導(dǎo)體。晶體的穩(wěn)態(tài)相為閃鋅??礦結(jié)構(gòu)，其空間群為Ｆ－４３ｍ，屬立方晶系，如圖１－２所示，其中ａ、ｂ和ｃ軸的晶格常數(shù)??都為６．４７８?Ａ。ＩｎＳｂ是直接帶隙化合物半導(dǎo)體，其導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂都在布里淵區(qū)的ｒ點(diǎn)??位置。??在Ｉ１Ｉ－Ｖ族半導(dǎo)體中，本征ＩｎＳｂ材料具有最高的電子遷移率、較高的擊穿電場、高??飽和電子漂移速率和小的有效質(zhì)量。在３００?Ｋ下，ＩｎＳｂ的禁帶寬度＆為０．ｌ８ｅＶ，即長??波限將近７?（＿ｉｍ，而在７０?Ｋ溫度下，ＩｎＳｂ的禁帶寬度增加到０．２３?ｅＶ，使其覆蓋了整個(gè)??中紅外波段范圍，并且ＩｎＳｂ材料在該波段范圍內(nèi)具備較高的探測率和量子效率。因此??ＩｎＳｂ是制作波長為３？５?ｐｍ的紅外探測器的重要材料，用于制作光伏型或光導(dǎo)型單元、??多元及焦平面紅外探測器以及磁敏器件。??ｆｔｆ??ｆ〇１??圖１－２?ＩｎＳｂ的晶體結(jié)構(gòu)??Ｆｉｇ．?１－２?Ｔｈｅ?ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｏｆ?ＩｎＳｂ??１．２．２?ＩｉｉＡＩＮ的基本性質(zhì)??ＩｎＡＩＮ三元化合物是近年來一類新穎的ＩＩＩ族氮化物半導(dǎo)體材料。目前，川族氮化??物在可見光／紫外光譜范圍的光電子器件的研究和發(fā)展受到很多研究學(xué)者的廣泛關(guān)注。??ＩｎＮ和Ａ１Ｎ是直接帶隙半導(dǎo)體化合物

）＝ｓｉｎｃｅ，－＾）??Ｖ?ｓ?ｓｉｎ（６１＋６？２）??在橢偏的實(shí)際測量中，最簡單的樣品結(jié)構(gòu)是基于襯底的單層薄膜系統(tǒng)（如下圖２－２??所示）。橢偏測量原理圖如２－３和２－４所示，光源發(fā)出一束光，經(jīng)過偏振器形成線偏振光，??當(dāng)線偏振光照射到待測樣品表面時(shí)，由于入射光與樣品發(fā)生相互作用，使反射光的偏振??態(tài)發(fā)生變化，最終形成７橢圓偏振光。利用橢偏測量的兩個(gè)基本參數(shù)（Ｐｓｉ＆?Ｄｅｌｔａ）來??分別描述ｐ波和ｓ波的振幅比和相位差，Ｐｓｉ?（ＶＯ和Ｄｅｌｔａ?（Ａ）是由ｐ波和ｓ波的反射??系數(shù)定義，艮Ｐ：??９??

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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博士論文
[1]硅基銻化銦薄膜的制備與光電性能研究[D]. 李鄧玥.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013



本文編號(hào)：3294345