作為第三代寬禁帶半導體材料的代表,碳化硅（SiC）材料具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和速率高和擊穿電場高等性質,在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和航天、軍工、核能等極端環(huán)境應用領域有著不可替代的優(yōu)勢,是半導體材料研究的熱點。SiC材料外延層的質量對于器件的制備與器件性能有重要影響。異質外延生長SiC材料存在晶格失配和內部缺陷情況,限制了功率半導體器件的應用。同質外延生長的SiC材料能夠更好改善這一情況,但由于同質外延生長的4H-SiC材料的外延層與基底為同質材料,較難區(qū)分外延層與基底信號,外延層質量分析較困難。本文通過多波長紫外和橫截面拉曼散射光譜,有效研究了一系列同質外延生長的4H-SiC薄膜不同晶層的晶體質量和載流子特性。此外,通過偏振拉曼光譜研究了 4H-SiC材料的各向異性。本文主要研究內容如下:（1）利用不同波長紫外激光的穿透性質,采用266nm,325nm,514nm激光激發(fā),通過拉曼散射光譜,分析了不同硅碳比生長的同質外延4H-SiC薄膜表面層、中間層和整個外延層的質量特性。利用常被忽視的禁忌模E1（TO）特性,結合空間相關模型,得到了樣品各層的晶體質量信息。研究... 

【文章來源】：廣西大學廣西壯族自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：66 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖１－３六方纖鋅礦晶體結構圖??Ｆｉｇ．?１－２?Ｃｒｙｓｔａｌ?ｓｔｍｃｔｉｉｒｅ?ｏｆ?ｈｅｘａｇｏｎａｌ?ｗｕｒｔｚｉｔｅ??

直至Ｉ９６０年后由于激光技術而發(fā)展。激光的高亮度、方向性和偏振性等特性成為理想??光源，拉曼光譜成為重要的探測手段。??如圖１－４所示，拉曼散射光譜的基本原理，通過經(jīng)典波函數(shù)理論解釋，設散射物分??子原來處于基態(tài)，實線和虛線分別表示實的和虛的能級躍遷。當入射光照射時，其激發(fā)??７??

、?ｇｇ＾Ｒｍｓｈ＼＼ｘ?１??圖２－２?Ｒｅｎｉｓｈａｗ共焦顯微拉曼光譜儀系統(tǒng)??Ｆｉｇ．２－２?Ｃｏｎｆｏｃａｌ?ｍｉｃｒｏｐｒｏｂｅ?Ｒａｍａｎ?Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ?ｓｙｓｔｅｍ?ｗａｓ?ｎａｍｅｄ?Ｒｅｎｉｓｈａｗ??本文中樣品即采用化學氣相沉積（ＣＶＤ）方法，制備不同鞋碳比的ｕｎｄｏｐｅｄ?／ｎ＋４Ｈ－ＳｉＣ??１２??

【參考文獻】：
期刊論文
[1]基于CVD方法生長在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）[J]. 陳帥,謝燈,丘志仁,TIN Chin-che,王洪朝,梅霆,萬玲玉,馮哲川.  光散射學報. 2016(02)
[2]Temperature Dependence of Raman Scattering in 4H-SiC Films under Different Growth Conditions[J]. 王洪朝,何依婷,孫華陽,丘志仁,謝燈,梅霆,Tin C.C.,馮哲川.  Chinese Physics Letters. 2015 (04)
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[4]寬禁帶半導體SiC功率器件發(fā)展現(xiàn)狀及展望[J]. 張波,鄧小川,張有潤,李肇基.  中國電子科學研究院學報. 2009(02)
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碩士論文
[1]碳化硅晶體生長設備的研制[D]. 李留臣.西安理工大學 2002



本文編號：3292520