邏輯內(nèi)建自測試雙重過濾測試點(diǎn)選取策略
發(fā)布時(shí)間:2021-07-20 05:26
為有效改善邏輯內(nèi)建自測試(logic built-in self-test,LBIST)因使用偽隨機(jī)向量發(fā)生器生成測試圖形,而導(dǎo)致相關(guān)應(yīng)用芯片故障覆蓋率指標(biāo)較低的問題,便于控制、較易調(diào)整的測試點(diǎn)插入(test point insertion,TPI)技術(shù)被廣泛應(yīng)用。然而,在TPI的測試點(diǎn)選取過程中通�;�"故障覆蓋率優(yōu)先"準(zhǔn)則,進(jìn)而使部分測試點(diǎn)面積開銷過高。針對此問題,通過對現(xiàn)有主流選取策略的分析,提出一種應(yīng)用于LBIST的雙重過濾測試點(diǎn)選取策略。該策略首先通過預(yù)過濾,獲得高故障覆蓋率/低面積開銷的單一測試點(diǎn)集,以保障TPI整體質(zhì)量;其次,通過全局測試點(diǎn)濾取,濾除故障覆蓋高度重合的單一測試點(diǎn),完成符合邊界條件的TPI。實(shí)驗(yàn)表明,該策略與目前較新穎的緊湊型單元感知測試點(diǎn)選取策略相比,故障覆蓋率提升4.15%,減少測試面積開銷5.72%,充分證明該策略在提高故障覆蓋率和減小測試面積上的優(yōu)勢。
【文章來源】:上海大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,26(04)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:9 頁
【部分圖文】:
圖1橫向沖繁參爭承例??Fig.?1?Example?of?horizontal?conflict?competition??
的馬必須為CL從而.導(dǎo)致電路橫向沖突雜#".??&然,由于橫詢沖??突的存在,故障Ci和C3不能被相同的測試圖形檢測到,這就導(dǎo)致了該邏輯錐內(nèi)的測試圖形數(shù)??纛翻倍。通過在Si處插入一額外的或門即可實(shí)現(xiàn)提高故_覆遘率和減少測試圖形載囊_的》??圖1橫向沖繁參爭承例??Fig.?1?Example?of?horizontal?conflict?competition??縱向故障傳播阻抗是指隨著電路級向深度的增加,節(jié),點(diǎn)為I/O的概率不再是50%,導(dǎo)致??某些故障無法被傳播至特定節(jié)點(diǎn)處。如圖2所示的縱向故障傳播阻抗中,故障〇傳播至巧??的概奉為1/K故障Q需要傳播至認(rèn)處,路徑上有Gi、島、(?3共3個(gè)與H,假設(shè)3個(gè)與門??的吳一輸入負(fù)、S2、馬為1的概率均為50%,則故障至認(rèn)處的概率僅為1/8,而解決方法只??需在Q處插入一觀測點(diǎn),或在認(rèn)處插入一受Q控制的控制點(diǎn)即可》??圖2讓向故障傳播阻棟示例??Fig.?2?Example?of?longitudinal?fault?propagation?resistance??1.2全局測試點(diǎn)相互影響分析??在選取測試點(diǎn)的過程中,常以故障覆盞率提升/測試面積開銷為標(biāo)準(zhǔn),衝量棲試點(diǎn)價(jià)值。??在集成電路規(guī)模較小時(shí),該衡量標(biāo)準(zhǔn)適用性較好,而當(dāng)集成電路較大時(shí),則引發(fā)了新的何題。??測試iS間存在故障覆蓋相互重合問題,該問題使得故障覆蓋率沒有實(shí)際提升,卻徒增測試面??積開銪,而如今集成電路千萬門級的規(guī)模決定了不可能對每個(gè)測試點(diǎn)單獨(dú)進(jìn)行測試,因此如??何移除測試點(diǎn)倆故障覆蓋相互童合影晌成為研究難點(diǎn)之1??既然不可能將所有測試點(diǎn)一一插入,進(jìn)行組合分析,本3;.作提出將測試點(diǎn)移除來確定其??
圖3凡及立定義??Fig.?3?Definition?of?Fx?and?f?x??,
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Fast Iterative Closest Point-Simultaneous Localization and Mapping(ICP-SLAM) with Rough Alignment and Narrowing-Scale Nearby Searching[J]. 梁濱,張金藝,唐笛愷. Journal of Donghua University(English Edition). 2017(04)
[2]淺析7nm之后的工藝制程的實(shí)現(xiàn)[J]. Mark LaPedus. 集成電路應(yīng)用. 2017(01)
本文編號:3292226
【文章來源】:上海大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,26(04)北大核心CSCD
【文章頁數(shù)】:9 頁
【部分圖文】:
圖1橫向沖繁參爭承例??Fig.?1?Example?of?horizontal?conflict?competition??
的馬必須為CL從而.導(dǎo)致電路橫向沖突雜#".??&然,由于橫詢沖??突的存在,故障Ci和C3不能被相同的測試圖形檢測到,這就導(dǎo)致了該邏輯錐內(nèi)的測試圖形數(shù)??纛翻倍。通過在Si處插入一額外的或門即可實(shí)現(xiàn)提高故_覆遘率和減少測試圖形載囊_的》??圖1橫向沖繁參爭承例??Fig.?1?Example?of?horizontal?conflict?competition??縱向故障傳播阻抗是指隨著電路級向深度的增加,節(jié),點(diǎn)為I/O的概率不再是50%,導(dǎo)致??某些故障無法被傳播至特定節(jié)點(diǎn)處。如圖2所示的縱向故障傳播阻抗中,故障〇傳播至巧??的概奉為1/K故障Q需要傳播至認(rèn)處,路徑上有Gi、島、(?3共3個(gè)與H,假設(shè)3個(gè)與門??的吳一輸入負(fù)、S2、馬為1的概率均為50%,則故障至認(rèn)處的概率僅為1/8,而解決方法只??需在Q處插入一觀測點(diǎn),或在認(rèn)處插入一受Q控制的控制點(diǎn)即可》??圖2讓向故障傳播阻棟示例??Fig.?2?Example?of?longitudinal?fault?propagation?resistance??1.2全局測試點(diǎn)相互影響分析??在選取測試點(diǎn)的過程中,常以故障覆盞率提升/測試面積開銷為標(biāo)準(zhǔn),衝量棲試點(diǎn)價(jià)值。??在集成電路規(guī)模較小時(shí),該衡量標(biāo)準(zhǔn)適用性較好,而當(dāng)集成電路較大時(shí),則引發(fā)了新的何題。??測試iS間存在故障覆蓋相互重合問題,該問題使得故障覆蓋率沒有實(shí)際提升,卻徒增測試面??積開銪,而如今集成電路千萬門級的規(guī)模決定了不可能對每個(gè)測試點(diǎn)單獨(dú)進(jìn)行測試,因此如??何移除測試點(diǎn)倆故障覆蓋相互童合影晌成為研究難點(diǎn)之1??既然不可能將所有測試點(diǎn)一一插入,進(jìn)行組合分析,本3;.作提出將測試點(diǎn)移除來確定其??
圖3凡及立定義??Fig.?3?Definition?of?Fx?and?f?x??,
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]Fast Iterative Closest Point-Simultaneous Localization and Mapping(ICP-SLAM) with Rough Alignment and Narrowing-Scale Nearby Searching[J]. 梁濱,張金藝,唐笛愷. Journal of Donghua University(English Edition). 2017(04)
[2]淺析7nm之后的工藝制程的實(shí)現(xiàn)[J]. Mark LaPedus. 集成電路應(yīng)用. 2017(01)
本文編號:3292226
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