二硫化鉬（Molybdenum Disulphide,MoS₂）薄膜是優(yōu)異的低維納米材料,具有1.3¹.8 eV的可調(diào)帶隙。利用MoS₂作為溝道材料制備的場效應(yīng)晶體管具有較高的載流子遷移率和極高的開關(guān)比（>10⁷）,有望替代傳統(tǒng)硅材料場效應(yīng)晶體管。目前,二維溝道材料的場效應(yīng)晶體管制備中多采用電子束光刻技術(shù),溝道與電極界面間的光刻膠殘留會影響器件的電學(xué)特性。本文詳細(xì)研究了探針轉(zhuǎn)移電極法制備背柵MoS₂場效應(yīng)晶體管的過程,探討了探針轉(zhuǎn)移電極法制備器件的可行性以及退火對其接觸性能的影響,并揭示了低溫氧等離子體處理對MoS₂場效應(yīng)晶體管電學(xué)特性的協(xié)調(diào)機制。MoS₂樣品采取機械剝離和化學(xué)氣相沉積生長所得。在高倍率顯微鏡下利用金屬探針將預(yù)制好的Au電極轉(zhuǎn)移至MoS₂樣品表面,實現(xiàn)了場效應(yīng)晶體管的制備。使用拉曼光譜（Raman Spectrum）的E¹_2g和A_1g

【文章來源】：江蘇大學(xué)江蘇省

【文章頁數(shù)】：88 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

常見TMDCs的半導(dǎo)體性能及穩(wěn)定性分析

圖 1.2 MoS2的結(jié)構(gòu)：（a）天然塊狀 MoS2晶體；（b）MoS2的原子結(jié)構(gòu)示意圖。 1.2 Structure of MoS2. (a) Natural bulk MoS2crystal. (b) Diagram of MoS2atomic soS2的晶體結(jié)構(gòu)有三種相，分別為：2H-MoS2、3R-MoS2、1T-MoS2，如3]。2H-MoS2為六角晶系構(gòu)型，其中 Mo 通過三棱柱形式進行配位，M

圖 1.3 MoS2的 2H，3R，1T 三種構(gòu)型的原子結(jié)構(gòu)示意圖。ure 1.3 The atomic structure schematic of 2H, 3R and 1T phases of M

【參考文獻】：
期刊論文
[1]低溫氧等離子體處理對單層二硫化鉬薄膜表面性質(zhì)影響的研究[J]. 張偉冰,�？�,王權(quán).  真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報. 2017(10)

博士論文
[1]拓?fù)浣^緣體納米結(jié)構(gòu)的可控生長與表面性能[D]. 郝國林.湘潭大學(xué) 2013

碩士論文
[1]單層二硫化鉬背柵場效應(yīng)晶體管的電學(xué)及光電特性研究[D]. 方佳佳.江蘇大學(xué) 2017
[2]背柵黑磷場效應(yīng)晶體管的制備及電學(xué)特性研究[D]. 鄭波.江蘇大學(xué) 2017
[3]聚焦離子束下圖形化對單層石墨烯性能影響的研究[D]. 白冰.江蘇大學(xué) 2016
[4]低溫氧等離子體處理對單層石墨烯斷裂韌性和粘附特性的影響研究[D]. 鄧海君.江蘇大學(xué) 2016



本文編號：3284132