天堂国产午夜亚洲专区-少妇人妻综合久久蜜臀-国产成人户外露出视频在线-国产91传媒一区二区三区

當(dāng)前位置:主頁 > 科技論文 > 電子信息論文 >

三維集成封裝的電熱特性研究及優(yōu)化設(shè)計

發(fā)布時間:2021-07-14 08:45
  在技術(shù)發(fā)展、社會需要以及經(jīng)濟(jì)增長的驅(qū)動下,“延續(xù)摩爾”和“超越摩爾”成為了目前集成電路發(fā)展的兩大趨勢,在這種情況下,三維集成封裝技術(shù)受到了廣泛的認(rèn)可。目前,三維集成封裝技術(shù)在多方面都取得了突破性的進(jìn)展,然而仍然存在由于內(nèi)部復(fù)雜電磁環(huán)境導(dǎo)致的電可靠性問題,以及由于堆疊芯片增大了功率密度導(dǎo)致的熱可靠性問題,針對這些問題,本文著重于三維集成封裝的電熱特性以及優(yōu)化設(shè)計方面的創(chuàng)新研究,并取得了如下成果:1)研究了三維集成封裝多端口互連的電特性與優(yōu)化設(shè)計。我們首先提出了新型共面波導(dǎo)串?dāng)_屏蔽結(jié)構(gòu),分析其電特性并據(jù)此進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計,然后對結(jié)果進(jìn)行了實(shí)驗驗證;接下來針對基于“地缺陷結(jié)構(gòu)”的共模噪聲濾波器,分析了各尺寸參數(shù)對于其電特性的影響并提出了應(yīng)用機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)行優(yōu)化的方法。2)顯著的提高了應(yīng)用去嵌入方法測量三維集成封裝多端口硅通孔(TSV)高頻電特性的測量精度。我們首先分析了傳統(tǒng)去嵌入測量結(jié)構(gòu)與算法,得到將其應(yīng)用于多端口高頻電特性測量的兩個補(bǔ)充條件,并通過修正測量結(jié)構(gòu)與加入屏蔽TSV滿足了這兩個條件,進(jìn)而提高了測量精度,其中插入損耗的最大相對誤差從33.52%降低至4.67%,最后通過實(shí)驗進(jìn)行了驗證。3... 

【文章來源】:浙江大學(xué)浙江省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:174 頁

【學(xué)位級別】:博士

【部分圖文】:

三維集成封裝的電熱特性研究及優(yōu)化設(shè)計


圖1.2所示,不??同于傳統(tǒng)的封裝技術(shù),三維集成封裝主要通過硅通孔(TSV)技術(shù)將堆疊的裸片??

示意圖,三維集成,示意圖,摩爾


晶體管逼近其物理極限的小型化趨勢定義為“延續(xù)摩爾(More?Moore)?”,同時將芯??片需承擔(dān)越來越復(fù)雜多樣的功能與應(yīng)用的趨勢定義為“超越摩爾(More?than??Moore)?”,如圖1.1所示。這兩項趨勢同時受到來自技術(shù)發(fā)展、社會需要以及經(jīng)??濟(jì)增長的驅(qū)動,但前者面臨著尺寸小型化逼近物理極限的問題,而后者也需要解??決“異質(zhì)集成”引入的挑戰(zhàn)。面對這些問題和挑戰(zhàn),業(yè)界迫切的需要新的解決方案。?????模擬/射?無源器?高壓功?I傳感器?生物芯??頻?件?i率器件?激勵源?片???:????i?13〇nm??.9〇nm??|?卜?K^SL??■?|?32nm?lififllfffcII^I^V??wW??▼?m?★丄?F??▼?i??圖u“延續(xù)摩爾”與“超越摩爾”??在這種情況下,三維集成封裝技術(shù)得到了極大的關(guān)注[3]。如圖1.2所示,不??同于傳統(tǒng)的封裝技術(shù),三維集成封裝主要通過硅通孔(TSV)技術(shù)將堆疊的裸片??連接起來,進(jìn)而將模擬、數(shù)字、微波、微機(jī)電系統(tǒng)、生物、光電等不同工藝的芯??片集成在一個封裝中,目前由于技術(shù)上的限制,堆疊的裸片個數(shù)有限,因此往往??2??

串?dāng)_,團(tuán)隊


A.?Kruesubthawom團(tuán)隊以及R.?Bojko團(tuán)隊則通過使用新的結(jié)構(gòu)或者新的材料來解??決[>11],其中M.?Kachout團(tuán)隊在互相有串?dāng)_的傳輸線間增加不規(guī)則屏蔽傳輸線的??結(jié)構(gòu)如圖1.3所示[7]。??不規(guī)則?/—im ̄ ̄ ̄v—7??Z?介質(zhì)?,??圖1.3在互相有串?dāng)_的傳輸線間加入不規(guī)則屏蔽線結(jié)構(gòu)[7]??1.2.1.2垂直互連間的串?dāng)_??垂直互連方面,業(yè)界關(guān)注的主要是TSV,目前己經(jīng)開展了較多針對TSV間??串?dāng)_的工作,比如A.?E.?Engin使用的“金屬-半導(dǎo)體(MS)?”直接接觸的結(jié)構(gòu),即??去掉地TSV外的絕緣層,使其直接與半導(dǎo)體硅接觸,同時保留信號TSV外的絕??緣層,以在對信號傳輸影響較小的前提下削弱信號TSV間的串?dāng)_,其結(jié)構(gòu)如圖??1.4[12]所示。??銅?f?_I?j?銅??圖1.4對地TSV使用MS接觸以屏蔽串?dāng)_[12]??5??


本文編號:3283809

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/3283809.html


Copyright(c)文論論文網(wǎng)All Rights Reserved | 網(wǎng)站地圖 |

版權(quán)申明:資料由用戶55869***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com