薄膜體聲波諧振器（FBAR）具有體積小、工作頻段高、性能強等優(yōu)勢,在濾波器領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景,其最核心的功能層為壓電薄膜。本文采用磁控濺射方法,在6英寸硅片上制備了AlScN壓電薄膜。對AlScN薄膜進行了分析表征,結(jié)果表明,AlScN壓電薄膜具有良好的（002）面擇優(yōu)取向,搖擺曲線半峰寬為1.75°,膜厚均勻性優(yōu)于0.6%,薄膜應(yīng)力為10.63 MPa,薄膜應(yīng)力可調(diào)。制作了基于AlScN壓電薄膜的FBAR諧振器,其機電耦合系數(shù)為7.53%。在AlN中摻雜Sc能夠有效提高壓電薄膜的機電耦合系數(shù),對研究FBAR濾波器的寬帶化有重要意義。 

【文章來源】：人工晶體學(xué)報. 2020,49(06)北大核心

【文章頁數(shù)】：4 頁

【部分圖文】：

AlScN薄膜厚度分布圖

理想狀況下,薄膜的應(yīng)力為零,否則應(yīng)力過大,會造成薄膜受力彎曲,甚至脫落,影響器件的可靠性。對濺射功率、濺射溫度、濺射氣體壓力等工藝參數(shù)優(yōu)化后,保持其它工藝參數(shù)不變,AlScN薄膜應(yīng)力可以通過濺射氣體氬氣的流量進行調(diào)節(jié),AlScN薄膜應(yīng)力可以低至10.63 MPa,如圖3所示。AlScN薄膜應(yīng)力可以通過濺射氣體氬氣的流量進行調(diào)整,薄膜應(yīng)力可控,氬氣流量與薄膜應(yīng)力滿足一定的線性關(guān)系。圖4為氬氣流量對AlScN薄膜應(yīng)力的影響圖,隨著氬氣流量的增加,薄膜應(yīng)力向張應(yīng)力變化。圖3 AlScN薄膜應(yīng)力

AlScN薄膜應(yīng)力

【參考文獻】：
期刊論文
[1]薄膜體聲波諧振器（FBAR）技術(shù)及其應(yīng)用[J]. 何杰,劉榮貴,馬晉毅.  壓電與聲光. 2007(04)



本文編號：3274864