提出了一種改進(jìn)的浮動(dòng)板調(diào)制器和對(duì)正負(fù)偏電壓的故障檢測(cè)電路,利用MOSFET寄生電容特性,通過(guò)固定脈寬窄脈沖控制調(diào)制脈寬,通過(guò)增加負(fù)偏MOSFET提高輸出負(fù)偏電壓。對(duì)故障檢測(cè)電路進(jìn)行仿真實(shí)驗(yàn),通過(guò)模擬故障,驗(yàn)證故障檢測(cè)報(bào)警信號(hào)發(fā)生時(shí)間均在微秒級(jí)別。完成樣機(jī)的搭建,利用多重方式解決高壓絕緣問(wèn)題,并對(duì)其加電進(jìn)行試驗(yàn)驗(yàn)證,分析實(shí)驗(yàn)波形,證明此電路滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求并且具有可行性。 

【文章來(lái)源】：電子器件. 2020,43(01)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【部分圖文】：

雷達(dá)發(fā)射機(jī)浮動(dòng)板調(diào)制器 和故障檢測(cè)電路組成框圖

根據(jù)此型號(hào)雷達(dá)發(fā)射機(jī)的基本特性,此調(diào)制器具體指標(biāo)要求是:浮動(dòng)板調(diào)制器輸出脈沖正偏壓幅值:+500 V;浮動(dòng)板調(diào)制器輸出脈沖負(fù)偏壓幅值:-500 V;脈沖寬度:1 μs～20 μs連續(xù)可調(diào);重復(fù)頻率:1 kHz～20 kHz;前后沿:小于100 ns;驅(qū)動(dòng)脈沖寬度:1 μs;驅(qū)動(dòng)脈沖幅值:8 V;脈沖頂降:1%;陰極懸浮高壓電壓值:30 kV。2.2 調(diào)制器主電路分析

此調(diào)制器輸出的行波管柵極脈沖電壓的脈寬是VQ1和VQ2上升沿的間距寬度,并且其寬度可調(diào),如圖3所示。從圖中可以看出,在VQ1上升沿到來(lái)時(shí)JG1電壓升高,輸出正偏電壓,在VQ1結(jié)束后JG1的電壓值仍然保持正電壓值不變,直到VQ2上升沿到來(lái),JG1下降變?yōu)樨?fù)偏電壓,在VQ2電壓結(jié)束前JG1電壓值一直和負(fù)偏電壓相等,在VQ2結(jié)束后,由于分壓電阻R3的存在,JG1的電壓值略低于負(fù)片電壓值。調(diào)制器電路中的開(kāi)啟管和截止管的選取需要滿(mǎn)足耐壓、耐流和開(kāi)啟時(shí)間的要求,對(duì)于此型號(hào)的雷達(dá)發(fā)射機(jī)調(diào)制器,考慮其工作環(huán)境,選擇的MOSFET開(kāi)關(guān)管VDS所能承受的電壓應(yīng)不小于1.5倍的Von+Voff[2],即1 500 V;開(kāi)關(guān)管能承受的電流必須大于柵極的工作電流、柵極電容和分布電容的充放電電流和兩管瞬時(shí)共通電流的總和IDSmax[4],IDSmax較小,多數(shù)MOSFET均能滿(mǎn)足要求。選擇型號(hào)2SK4177的MOSFET,其漏源電壓為1 500 V,漏源電流為2 A,上升時(shí)間37 ns。


本文編號(hào)：3274649