基于大數(shù)據(jù)的硅片形狀診斷與預(yù)報(bào)
發(fā)布時(shí)間:2021-07-09 20:59
半導(dǎo)體硅片是集成電路制造所需要關(guān)鍵襯底材料,在此領(lǐng)域數(shù)據(jù)分析備受關(guān)注,大數(shù)據(jù)日益廣泛的數(shù)據(jù)化時(shí)代,把大數(shù)據(jù)策略結(jié)合硅片加工制備的工程知識(shí)應(yīng)用于實(shí)際的硅片生產(chǎn)制造的研究具有非常實(shí)際的應(yīng)用價(jià)值。隨著集成電路技術(shù)的快速進(jìn)步,對(duì)硅片的品質(zhì)要求不斷提高,傳統(tǒng)生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)和單純的材料科學(xué)的工程知識(shí)已經(jīng)不足以應(yīng)對(duì)多因素交織和復(fù)雜多變的實(shí)際生產(chǎn)。在硅片品質(zhì)分析和優(yōu)化品質(zhì)方面,以數(shù)理統(tǒng)計(jì)為背景的數(shù)據(jù)分析技術(shù)逐漸地獲得認(rèn)可,且越來越廣泛地應(yīng)用于生產(chǎn)制造的各方面。隨著計(jì)算機(jī)和互聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的飛速進(jìn)步,數(shù)據(jù)分析技術(shù)在各領(lǐng)域得到應(yīng)用。數(shù)據(jù)分析技術(shù)與各領(lǐng)域?qū)W科交叉形成一些新的學(xué)科分支。本文以半導(dǎo)體硅片為研究對(duì)象,主旨在于改進(jìn)硅片的幾何參數(shù)品質(zhì),基于數(shù)據(jù)挖掘和機(jī)器學(xué)習(xí)策略,對(duì)硅片的幾何參數(shù)檢測原始數(shù)據(jù)(raw-data)進(jìn)行挖掘和分析,在主體框架上可分為診斷和預(yù)報(bào)兩個(gè)部分:在診斷部分,主要是以硅片制造環(huán)節(jié)中的切割、研磨和酸腐蝕工位的異常品的形狀為分析對(duì)象,實(shí)現(xiàn)了異常品的自動(dòng)化診斷;在預(yù)報(bào)部分,主要以酸腐蝕為研究對(duì)象,通過分析酸腐蝕剝離去除形狀的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),建立了酸腐蝕過程經(jīng)驗(yàn)?zāi)P筒⑶蠼?在一定程度上可以預(yù)報(bào)不同工藝條件下酸腐...
【文章來源】:北京有色金屬研究總院北京市
【文章頁數(shù)】:70 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2雙面研磨設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖??
化學(xué)機(jī)械拋光也是利用平坦的圓盤向硅片施所指的化學(xué)機(jī)械拋光是半導(dǎo)體硅襯底制造當(dāng)中的集成電路制造制備出鏡面化的表面。一般來說,拋坦度的幾何參數(shù)有改善的效果。按照貼片的機(jī)理。有蠟拋光顧名思義是利用蠟的黏性,使用特制附在特制的平板上,使表面得以平坦地鏡面化。硅片,利用水的虹吸原理使硅片貼在載具內(nèi)[3M3]。取片不需要特別的裝備,甚至可以手工實(shí)現(xiàn),且,所以效率和成本上優(yōu)于有蠟拋光。但無蠟拋光,故而平整度相對(duì)較差;有蠟拋光中,硅片與平坦面支撐,故此在平坦度方面有優(yōu)勢。硅片尺寸上局平整度和局部平整度的技術(shù)規(guī)格要求,一般裝置原理示意圖[34]。??
內(nèi)的坐標(biāo)、相應(yīng)坐標(biāo)點(diǎn)上硅片的厚度、平坦度、局部翹曲等數(shù)據(jù)信息[41]。在獲得了逐??點(diǎn)掃描數(shù)據(jù)(raw?data)之后,檢測設(shè)備會(huì)根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定算法利用raw?data計(jì)算??硅片各項(xiàng)幾何參數(shù)的數(shù)據(jù),例如厚度、TTV、TIR、Bow、Warp等。圖1.4是檢測設(shè)??備對(duì)硅片進(jìn)行轉(zhuǎn)掃檢測時(shí)的采點(diǎn)位置:??100??E?50??〇??’?-5〇??-loot????—?—??-100?-50?0?50?100??along?X?direction?(mm)??圖1.4測量系統(tǒng)轉(zhuǎn)掃采點(diǎn)位置??目前硅片制造環(huán)節(jié),主要利用硅片的厚度、TTV、Bow、Wap等計(jì)算結(jié)果作為品??質(zhì)檢驗(yàn)和合格率考察的數(shù)值依據(jù)。鑒于同樣品質(zhì)指標(biāo)的硅片,其形狀可能是不同的,??6??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于工業(yè)大數(shù)據(jù)的晶圓制造系統(tǒng)加工周期預(yù)測方法[J]. 朱雪初,喬非. 計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng). 2017(10)
[2]基于大數(shù)據(jù)分析的半導(dǎo)體工藝的良率提升研究[J]. 陸健,楊冬琴,黃倩露,王強(qiáng),趙蘇華. 南通大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016(04)
[3]基于數(shù)據(jù)挖掘的晶圓制造交貨期預(yù)測方法[J]. 汪俊亮,秦威,張潔. 中國機(jī)械工程. 2016(01)
[4]高斯過程回歸方法綜述[J]. 何志昆,劉光斌,趙曦晶,王明昊. 控制與決策. 2013(08)
[5]微腐蝕去除硅襯底表面損傷及污染物研究[J]. 田巧偉,檀柏梅,高寶紅,黃妍妍,劉楠,蘇偉東. 微納電子技術(shù). 2012(12)
[6]KOH各向異性腐蝕中預(yù)處理對(duì)硅表面粗糙度的影響[J]. 夏偉鋒,馮飛,王權(quán),熊斌,戈肖鴻. 半導(dǎo)體光電. 2010(04)
[7]高斯過程響應(yīng)面法研究[J]. 劉信恩,肖世富,莫軍. 應(yīng)用力學(xué)學(xué)報(bào). 2010(01)
[8]多線切割工藝中切割線直徑對(duì)翹曲度影響的研究[J]. 李保軍,馮濤. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(08)
[9]多線切割機(jī)磨削熱的不良影響及消除[J]. 王廣峰. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(05)
[10]多線切割工藝中晶片翹曲度的控制[J]. 林健. 半導(dǎo)體技術(shù). 2009(04)
碩士論文
[1]大尺寸硅片拋光前道工序?qū)伖庑Ч挠绊懷芯縖D]. 鐘耕杭.北京有色金屬研究總院 2017
[2]硅片在HF/HNO3/H2O體系中酸腐蝕的研究[D]. 安靜.上海交通大學(xué) 2008
本文編號(hào):3274489
【文章來源】:北京有色金屬研究總院北京市
【文章頁數(shù)】:70 頁
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.2雙面研磨設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖??
化學(xué)機(jī)械拋光也是利用平坦的圓盤向硅片施所指的化學(xué)機(jī)械拋光是半導(dǎo)體硅襯底制造當(dāng)中的集成電路制造制備出鏡面化的表面。一般來說,拋坦度的幾何參數(shù)有改善的效果。按照貼片的機(jī)理。有蠟拋光顧名思義是利用蠟的黏性,使用特制附在特制的平板上,使表面得以平坦地鏡面化。硅片,利用水的虹吸原理使硅片貼在載具內(nèi)[3M3]。取片不需要特別的裝備,甚至可以手工實(shí)現(xiàn),且,所以效率和成本上優(yōu)于有蠟拋光。但無蠟拋光,故而平整度相對(duì)較差;有蠟拋光中,硅片與平坦面支撐,故此在平坦度方面有優(yōu)勢。硅片尺寸上局平整度和局部平整度的技術(shù)規(guī)格要求,一般裝置原理示意圖[34]。??
內(nèi)的坐標(biāo)、相應(yīng)坐標(biāo)點(diǎn)上硅片的厚度、平坦度、局部翹曲等數(shù)據(jù)信息[41]。在獲得了逐??點(diǎn)掃描數(shù)據(jù)(raw?data)之后,檢測設(shè)備會(huì)根據(jù)行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定算法利用raw?data計(jì)算??硅片各項(xiàng)幾何參數(shù)的數(shù)據(jù),例如厚度、TTV、TIR、Bow、Warp等。圖1.4是檢測設(shè)??備對(duì)硅片進(jìn)行轉(zhuǎn)掃檢測時(shí)的采點(diǎn)位置:??100??E?50??〇??’?-5〇??-loot????—?—??-100?-50?0?50?100??along?X?direction?(mm)??圖1.4測量系統(tǒng)轉(zhuǎn)掃采點(diǎn)位置??目前硅片制造環(huán)節(jié),主要利用硅片的厚度、TTV、Bow、Wap等計(jì)算結(jié)果作為品??質(zhì)檢驗(yàn)和合格率考察的數(shù)值依據(jù)。鑒于同樣品質(zhì)指標(biāo)的硅片,其形狀可能是不同的,??6??
【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
[1]基于工業(yè)大數(shù)據(jù)的晶圓制造系統(tǒng)加工周期預(yù)測方法[J]. 朱雪初,喬非. 計(jì)算機(jī)集成制造系統(tǒng). 2017(10)
[2]基于大數(shù)據(jù)分析的半導(dǎo)體工藝的良率提升研究[J]. 陸健,楊冬琴,黃倩露,王強(qiáng),趙蘇華. 南通大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2016(04)
[3]基于數(shù)據(jù)挖掘的晶圓制造交貨期預(yù)測方法[J]. 汪俊亮,秦威,張潔. 中國機(jī)械工程. 2016(01)
[4]高斯過程回歸方法綜述[J]. 何志昆,劉光斌,趙曦晶,王明昊. 控制與決策. 2013(08)
[5]微腐蝕去除硅襯底表面損傷及污染物研究[J]. 田巧偉,檀柏梅,高寶紅,黃妍妍,劉楠,蘇偉東. 微納電子技術(shù). 2012(12)
[6]KOH各向異性腐蝕中預(yù)處理對(duì)硅表面粗糙度的影響[J]. 夏偉鋒,馮飛,王權(quán),熊斌,戈肖鴻. 半導(dǎo)體光電. 2010(04)
[7]高斯過程響應(yīng)面法研究[J]. 劉信恩,肖世富,莫軍. 應(yīng)用力學(xué)學(xué)報(bào). 2010(01)
[8]多線切割工藝中切割線直徑對(duì)翹曲度影響的研究[J]. 李保軍,馮濤. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(08)
[9]多線切割機(jī)磨削熱的不良影響及消除[J]. 王廣峰. 電子工業(yè)專用設(shè)備. 2009(05)
[10]多線切割工藝中晶片翹曲度的控制[J]. 林健. 半導(dǎo)體技術(shù). 2009(04)
碩士論文
[1]大尺寸硅片拋光前道工序?qū)伖庑Ч挠绊懷芯縖D]. 鐘耕杭.北京有色金屬研究總院 2017
[2]硅片在HF/HNO3/H2O體系中酸腐蝕的研究[D]. 安靜.上海交通大學(xué) 2008
本文編號(hào):3274489
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