研究了DAST晶體的有效二階非線性系數(shù)和太赫茲發(fā)射性能。實驗以DAST-甲醇溶液的亞穩(wěn)區(qū)范圍為依據(jù),采用溶液降溫法進(jìn)行DAST的生長。實驗發(fā)現(xiàn),降溫速率越快,晶體的生長速度越快,但晶體易發(fā)生多晶轉(zhuǎn)變;在晶體生長后期,采用較慢的降溫速率,有利于晶體厚度的增加。經(jīng)磨拋后的晶體表面粗糙度能夠達(dá)到光學(xué)測試等級（微米級）要求。經(jīng)測試,DAST晶片有效二階非線性系數(shù)平均值為16.58 pm/V,實現(xiàn)了頻率范圍0.84～10 THz的太赫茲波發(fā)射,并在2.72 THz處具有最大發(fā)射強度。 

【文章來源】：太赫茲科學(xué)與電子信息學(xué)報. 2020,18(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號：3262329