因?yàn)镃MOS集成電路中,失調(diào)電壓及低頻噪聲對(duì)運(yùn)放的性能影響比較嚴(yán)重,霍爾信號(hào)輸出通常在微伏至毫伏之間,而普通的運(yùn)算放大器失調(diào)就達(dá)到幾個(gè)毫伏甚至十幾個(gè)毫伏,所以相對(duì)微弱的霍爾信號(hào)而言,這些非理想因素會(huì)對(duì)霍爾信號(hào)產(chǎn)生干擾,嚴(yán)重時(shí)甚至覆蓋所有可用信號(hào),因此降低電路的失調(diào)及噪聲影響是信號(hào)調(diào)理電路必須達(dá)到的目標(biāo)。本文主要研究霍爾傳感器接口電路的設(shè)計(jì)與信號(hào)調(diào)理。作為傳感器常用的接口電路,儀表運(yùn)放具有廣泛的應(yīng)用,儀表運(yùn)放通常用于高共模電壓下放大一個(gè)小的差分信號(hào)的場(chǎng)合�；赾adence 0.18μm CMOS工藝庫(kù),設(shè)計(jì)一個(gè)獨(dú)立的霍爾傳感器信號(hào)調(diào)理電路,采用旋轉(zhuǎn)電流技術(shù)用于霍爾傳感器的信號(hào)處理降低失調(diào)、噪聲影響。在全面分析電路基本原理的基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)一種低失調(diào)、高增益、低功耗結(jié)構(gòu)的電路。本文設(shè)計(jì)的芯片面積為245μm×321μm,動(dòng)態(tài)功耗為2.72mW,增益為200V/V,共模抑制比為120dB,線性回歸系數(shù)為99.9%,總諧波失真小于0.1%。 

【文章來(lái)源】：黑龍江大學(xué)黑龍江省

【文章頁(yè)數(shù)】：88 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

霍爾效應(yīng)原理圖

圖 2-2 惠斯通電橋電路g. 2-2 Wheatstone bridge cir性阻率會(huì)影響霍爾元件出一定的變化趨勢(shì)，都會(huì)下降[31]。常說(shuō)的電阻呈負(fù)溫度特性，復(fù)雜，因?yàn)槠浒瑑蒼DNWeffsquNtR,1=；

甚至微伏級(jí)，所以對(duì)電路噪聲及失調(diào)此在電路設(shè)計(jì)中噪聲、共模抑制比、失調(diào)、靈考慮的因素[34]。IA 屬于一種特殊的差動(dòng)運(yùn)放，的基本要求。放大器表運(yùn)放如圖 2-3 所示，A1、A2 同樣作為緩沖器差分信號(hào)加在電阻 R1 上產(chǎn)生信號(hào)電流，電流鏡A3 為輸出緩沖器。電流模式儀表放大器的增益儀表運(yùn)放的共模抑制比受電流鏡的匹配程度決，除此之外整個(gè) IA 的失調(diào)、線性度、增益誤差由于其可工作于電壓模式以及電流模式，該拓?fù)洹⒏哽`活性及高通用性的有源器件。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3259638