氮化鎵（Ga N）基高電子遷移率晶體管（HEMT）作為功率開關(guān)器件,具有高功率、高頻率和高擊穿電壓等優(yōu)良的特性,同時可以在高溫高輻射等惡劣環(huán)境下正常工作,因此已成為國內(nèi)外的研究熱點之一。雖然Ga N基HEMT經(jīng)過多年研究開發(fā)并取得了重要進(jìn)展,但在實際應(yīng)用中仍然存在一些尚待解決的問題,最顯著的便是電流崩塌問題,這嚴(yán)重的影響了HEMT器件的可靠性;此外,傳統(tǒng)器件柵電極通過肖特基接觸實現(xiàn),從而導(dǎo)致過大的柵泄漏電流和過低的擊穿電壓。Ga N基器件中另一種重要的金屬/半導(dǎo)體接觸—歐姆接觸也存在很多工藝問題,如表面形貌差、熱穩(wěn)定性不好等。這些問題也都對Ga N基HEMT器件的可靠性產(chǎn)生了嚴(yán)重影響,對此,我們也進(jìn)行了一些研究。本文采用MIS（金屬/介質(zhì)層/半導(dǎo)體）柵器件結(jié)構(gòu),在優(yōu)化設(shè)計器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,研究探索了器件制備技術(shù)條件和工藝流程,成功制備出了Al Ga N/Ga N MIS-HEMT功率開關(guān)器件并對其性能進(jìn)行了分析測試,取得如下實驗研究成果:（1）在優(yōu)化選擇襯底材料和功率開關(guān)器件結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,制備出Al Ga N/Ga N MIS-HEMT功率開關(guān)器件,電學(xué)特性測試發(fā)現(xiàn)其性能得到了很大的提... 

【文章來源】：重慶師范大學(xué)重慶市

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

AlGaN/GaN HEMT 器件結(jié)構(gòu)剖視圖

[0001]方向生長的AlGaN和GaN的自發(fā)極化方向

.185 0.376 -0.029 0.73 -0.49 .705 0.377 -0.032 -0.57 0.97 由于兩種材料之間存在強(qiáng)烈的晶格失配，從。異質(zhì)結(jié)的方向如圖 2.3 所示。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]AlN插入層與AlGaN/GaN HEMT電流崩塌效應(yīng)的關(guān)系[J]. 李誠瞻,劉鍵,劉新宇,薛麗君,陳曉娟,和致經(jīng).  半導(dǎo)體學(xué)報. 2006(06)
[2]調(diào)制摻雜AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)上的Pt肖特基接觸[J]. 劉杰,沈波,周玉剛,周慧梅,鄭澤偉,張榮,施毅,鄭有炓.  固體電子學(xué)研究與進(jìn)展. 2002(04)
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本文編號：3259600