發(fā)布時(shí)間：2021-06-23 01:18

　　隨著集成電路特征尺寸不斷降低、金屬互連線寬度越來(lái)越窄、布線層數(shù)迅速增加,RC延遲和功率損耗逐漸成為制約半導(dǎo)體器件集成度的重要因素。傳統(tǒng)的鋁布線由于其自身較高的電阻率和弱的抗電遷移特性,已逐漸被銅互連結(jié)構(gòu)所取代。多孔低k介質(zhì)材料的引入,有效地使得器件的RC延遲降到了可接受范圍。同時(shí),雙大馬士革鑲嵌工藝成功解決了銅難以刻蝕的問(wèn)題,使得集成電路特征尺寸能夠不斷縮小。集成電路特征尺寸降到65nm以下后,為達(dá)到光刻納米級(jí)精度,要求每層布線必須經(jīng)過(guò)三次平坦化（銅膜的粗拋、精拋和阻擋層平坦化）,而化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）是目前世界上公認(rèn)的唯一能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化的方法。本文主要研究了適用于銅布線的新型堿性銅粗拋液,采用河北工業(yè)大學(xué)微電子研究所自主研發(fā)的多羥多胺螯合劑,有效地解決了銅的氧化物、氫氧化物在堿性條件下難以溶解的問(wèn)題。利用氧化劑的自鈍化作用,實(shí)現(xiàn)了凸處快反應(yīng),凹處自鈍化,有效地避免使用腐蝕抑制劑（BTA）,實(shí)現(xiàn)了高速率下的高平坦化效果。與傳統(tǒng)的酸性拋光液相比,成分簡(jiǎn)單（僅四種）,成本低,不腐蝕設(shè)備,不含有腐蝕抑制劑BTA等,環(huán)保無(wú)污染。通過(guò)各組分對(duì)速率的單因素實(shí)驗(yàn)和多層圖形片上的平坦化實(shí)驗(yàn),掌... 

【文章來(lái)源】：河北工業(yè)大學(xué)天津市 211工程院校

【文章頁(yè)數(shù)】：63 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

互連線技術(shù)節(jié)點(diǎn)的未來(lái)趨勢(shì)

河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文率損耗及散熱都將成為集成電路進(jìn)一步發(fā)展亟需解決是指電子將寄生電容充滿電荷所需要的時(shí)間，由導(dǎo)線 延遲其計(jì)算公式為：wdlR twlC tdltwlwdlRC2 線材料的電阻率，l、w、d 、t分別表示互連線的長(zhǎng)， 表示介電材料的介電常數(shù)。由上式可知，導(dǎo)線電寄生電容正比于介電材料的介電常數(shù)。因此，采用電電材料將大大提高信號(hào)的傳輸速度，降低集成電路功連系統(tǒng)帶來(lái)性能上的優(yōu)化[18]。

層 8.電鍍銅填充溝槽和通孔 9.化圖 1.3 雙大馬士革鑲嵌工藝流程械拋光（CMP）拋光（CMP）是雙大馬士革鑲嵌工藝在多層銅布線工藝中成電路制備進(jìn)程中，需要多次進(jìn)行薄膜淀積和刻蝕，布線表面粗糙度對(duì)于光刻圖形的聚焦成像十分重要，為了獲得必須要保持非常平整光潔的硅片表面。因此平坦化工藝顯光及器件的可靠性的前提和保障[23]。統(tǒng)的純機(jī)械或純化學(xué)拋光，CMP 通過(guò)機(jī)械和化學(xué)的協(xié)同拋光造成的表面劃傷嚴(yán)重、較大的粗糙度以及單純的化學(xué)平整度和一致性差等缺點(diǎn)。它是利用較軟的納米磨料粒子蝕作用共同有機(jī)結(jié)合，在合適的工藝條件下，在被拋光的面[24,25]。


本文編號(hào)：3243925