發(fā)布時(shí)間：2021-06-22 21:22

　　本文基于UMC 0.18 μm CMOS工藝,設(shè)計(jì)了一款低噪聲交叉耦合結(jié)構(gòu)的跨阻放大器.該電路由優(yōu)化的調(diào)節(jié)型共源共柵（RGC）結(jié)構(gòu)和輸出緩沖級(jí)構(gòu)成,其中采用兩級(jí)共源放大器作為RGC結(jié)構(gòu)的輔助放大器,用于提升電路的等效跨導(dǎo)和帶寬.此外,通過(guò)優(yōu)化電路參數(shù)以及在輸入端引入階梯型無(wú)源匹配網(wǎng)絡(luò)來(lái)進(jìn)一步拓展帶寬和降低電路噪聲.測(cè)試結(jié)果表明,在探測(cè)器等效電容為300pF時(shí),所設(shè)計(jì)跨阻放大器芯片的-3d B帶寬為2.2GHz,跨阻增益為61.8d B?,平均等效輸入噪聲電流譜密度僅為9 pA/（Hz）^1/2,成功實(shí)現(xiàn)了2.5Gb/s的傳輸速率.在1.8V電源電壓下,芯片功耗為43m W,包括焊盤在內(nèi)的芯片總面積為1×1mm². 

【文章來(lái)源】：天津大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)與工程技術(shù)版). 2017,50(06)北大核心EICSCD

【文章頁(yè)數(shù)】：5 頁(yè)

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3243552