本文基于UMC 0.18 μm CMOS工藝,設(shè)計了一款低噪聲交叉耦合結(jié)構(gòu)的跨阻放大器.該電路由優(yōu)化的調(diào)節(jié)型共源共柵（RGC）結(jié)構(gòu)和輸出緩沖級構(gòu)成,其中采用兩級共源放大器作為RGC結(jié)構(gòu)的輔助放大器,用于提升電路的等效跨導(dǎo)和帶寬.此外,通過優(yōu)化電路參數(shù)以及在輸入端引入階梯型無源匹配網(wǎng)絡(luò)來進一步拓展帶寬和降低電路噪聲.測試結(jié)果表明,在探測器等效電容為300pF時,所設(shè)計跨阻放大器芯片的-3d B帶寬為2.2GHz,跨阻增益為61.8d B?,平均等效輸入噪聲電流譜密度僅為9 pA/（Hz）^1/2,成功實現(xiàn)了2.5Gb/s的傳輸速率.在1.8V電源電壓下,芯片功耗為43m W,包括焊盤在內(nèi)的芯片總面積為1×1mm². 

【文章來源】：天津大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)與工程技術(shù)版). 2017,50(06)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3243552