采用高溫固相法制備了ScVO₄∶Eu³⁺紅色熒光粉。通過(guò)X射線(xiàn)粉末衍射（XRD）、掃描電子顯微鏡（SEM）和光致發(fā)光光譜（PL）對(duì)樣品的物相、形貌及發(fā)光性能進(jìn)行了表征。結(jié)果表明:所合成的ScVO₄∶Eu³⁺紅色熒光粉為四方鋯石型結(jié)構(gòu)。激發(fā)光譜中,位于382, 395和466 nm的激發(fā)峰分別歸屬于⁷F₀→⁵L₇,⁷F₀→⁵L₆及⁷F₀→⁵D₂躍遷。發(fā)射光譜中,位于598, 622和710 nm的發(fā)射峰對(duì)應(yīng)Eu³⁺的⁵D₀→⁷F₁,⁵D₀→⁷F₂及... 

【文章來(lái)源】：光譜學(xué)與光譜分析. 2020,40(10)北大核心EISCICSCD

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【部分圖文】：

ScVO4∶Eu3+的XRD譜圖

圖3是不同Eu3+摻雜濃度下ScVO4∶Eu3+熒光粉的激發(fā)圖譜, 從圖中可以知道不同Eu3+摻雜濃度下的熒光粉其激發(fā)峰位置一致, 激發(fā)強(qiáng)度隨著濃度的改變而改變。 激發(fā)峰的位置分別為382, 395和466 nm, 其所對(duì)應(yīng)Eu3+的吸收躍遷分別為7F0-5G2, 7F0-5L6和7F0-5D2。 特征吸收峰中, 當(dāng)其為395 nm時(shí), 5種不同Eu3+摻雜濃度的熒光粉, 其激發(fā)強(qiáng)度均在此點(diǎn)達(dá)到最大值。 通過(guò)對(duì)不同Eu3+摻雜濃度ScVO4∶Eu3+熒光粉激發(fā)圖譜的分析, 隨著Eu3+摻雜量的增加, 樣品的激發(fā)強(qiáng)度先逐漸增加, 當(dāng)x=0.07時(shí), 位于395 nm的激發(fā)光達(dá)到最強(qiáng)。 然而, 繼續(xù)增加Eu3+摻雜量, 激發(fā)光強(qiáng)度逐漸減弱, 因此Eu3+在ScVO4中的最佳摻雜摩爾分?jǐn)?shù)為0.07, ScVO4∶Eu3+紅色熒光粉可以被紫外LED有效激發(fā)。圖3 ScVO4∶Eu3+熒光粉的激發(fā)光譜

圖2 ScVO4∶7%Eu3+的SEM-EDS照片圖4為激發(fā)波長(zhǎng)395 nm條件下的ScVO4∶xEu3+(x=1%, 3%, 5%, 7%, 9%)的發(fā)射光譜, ScVO4∶Eu3+紅色熒光粉的發(fā)射峰主要包括位于598 nm的發(fā)射峰對(duì)應(yīng)Eu3+的5D0→7F1的躍遷; 位于622 nm的發(fā)射峰對(duì)應(yīng)Eu3+的5D0→7F2的躍遷; 位于710 nm的發(fā)射峰對(duì)應(yīng)Eu3+的5D0→7F4的躍遷, 劈裂現(xiàn)象出現(xiàn)在(622 nm)5D0→7F2 、 (702 nm)5D0→7F4, 很大程度上是由于電荷周?chē)粚?duì)稱(chēng)晶體場(chǎng)引起的。 由圖可知, 發(fā)射光譜隨著Eu3+摻雜濃度不斷增加, ScVO4∶Eu3+對(duì)應(yīng)的發(fā)射光譜強(qiáng)度呈現(xiàn)出先增加后減小的的趨勢(shì), 7%Eu3+摻雜對(duì)應(yīng)發(fā)射強(qiáng)度最大值, 出現(xiàn)這種變化趨勢(shì)的原因是由于Eu3+的濃度猝滅。 因此Eu3+在ScVO4中發(fā)光的最佳摩爾分?jǐn)?shù)為0.07。 以聚四氟乙烯作為空白樣品(標(biāo)準(zhǔn))進(jìn)行測(cè)定, ScVO4∶7%Eu3+其相對(duì)量子效率為91.25%。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3243533