通孔電鍍銅是印制電路板實現(xiàn)層與層之間電氣導(dǎo)通的重要方法之一,其質(zhì)量好壞嚴(yán)重影響電子產(chǎn)品的質(zhì)量與可靠性。隨著電子產(chǎn)品小型化、高集成度化的發(fā)展趨勢,印制電路板也向高密度化、高厚徑比方向發(fā)展,高厚徑比通孔電鍍銅對電鍍銅技術(shù)提出了更高的要求。電鍍銅結(jié)果受多方面因素影響,如電鍍液配方、電鍍設(shè)備,操作人員人為因素、電鍍前處理等。本文圍繞高厚徑比印制電路板通孔金屬化的優(yōu)化展開研究,主要研究了數(shù)據(jù)統(tǒng)計方法在深鍍能力（TP）分析中的應(yīng)用、高厚徑比通孔電鍍銅配方和電鍍銅異常處理三個方面。TP是印制電路板通孔電鍍的一項重要指標(biāo),TP數(shù)據(jù)的處理分析也變得尤為重要。目前行業(yè)內(nèi)處理TP數(shù)據(jù)的方法大多是對多次測量的數(shù)據(jù)求平均值,少數(shù)再加以箱線圖來直觀的分析,此方法雖然簡便易行,但對數(shù)據(jù)的分析不夠徹底,因此發(fā)現(xiàn)和解決的問題有限。方差分析和多重比較是兩種常見的數(shù)據(jù)分析方法,在科研和工業(yè)生產(chǎn)中都有廣泛的應(yīng)用。本文詳細(xì)闡述了方差分析和多重比較的原理與運用軟件進(jìn)行分析的計算方法,并采用這兩種方法解決了三個行業(yè)內(nèi)常見的問題:整平劑濃度對TP的影響、重復(fù)實驗的差異分析、行業(yè)經(jīng)驗的科學(xué)性分析。目前高厚徑比電鍍藥水市場主要由外國公司... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

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【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

常見導(dǎo)電高分子化學(xué)式[12]

第一章 緒論表 1-1 PEDOT 及其它三種常見導(dǎo)電聚合物導(dǎo)電率[13]聚合物 導(dǎo)電率(S/m)聚苯胺 0.1–5聚吡咯 10–50PEDOT 300–500聚噻吩 300–400PEDOT 分子具有單鍵、雙鍵交替的 共軛結(jié)構(gòu) ，長鏈碳分子軌道以 sp2 方式連接，sp2 鍵由于每一個碳原子均具有一個單獨的價電子沒有配對，相互連接的原子上未配對的孤電子相互接觸，形成共軛大π鍵，隨著聚合物聚合度的增加，π鍵電子的離域性增加，當(dāng)共軛π鍵離域性達(dá)到一定程度時，電子會在外加電場作用下，越過禁帶遷移至導(dǎo)帶，從而未配對的電子可以順著長鏈π鍵轉(zhuǎn)移，形成導(dǎo)電通路[14]。

電鍍過程變?yōu)閭髻|(zhì)控制過程。電流效率和銅的結(jié)晶質(zhì)量有很大關(guān)系，圖1-3 顯示了隨著電鍍電流密度和極化電阻的增加而得出的銅層微觀結(jié)構(gòu)演變。如圖 1-3a 所示，在電鍍電流密度較低或極化電阻較低的情況下，出現(xiàn)多孔或不致密的缺陷鍍層；如圖 1-3b 所示，隨著電鍍電流密度和極化電阻的增加，多孔膜中的缺陷下降；如圖 1-3c 所示，當(dāng)提供足夠的電流密度并具有足夠的極化電阻時，生成具有較小晶粒的致密鍍層沉積物；然而，如圖 1-3d 所示，當(dāng)進(jìn)一步增加電流密度時，發(fā)生銅聚集并且沉積物變成海綿狀或樹枝狀。產(chǎn)生這個現(xiàn)象的原因為銅的電沉積是一個成核-核生長的過程，提高電流密度可以增加成核，得到致密的鍍層，但隨著電流密度的繼續(xù)增大，靠近陰極表面的擴散層中的銅離子消耗變得很快。因此，銅離子難以立即從溶液中補充到擴散層中。此外，由于在高電場下銅離子被快速還原并在陰極表面尖端附近發(fā)?

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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本文編號：3237188