隨著物聯(lián)網(wǎng)、云計(jì)算、大數(shù)據(jù)等新一代信息技術(shù)的高速發(fā)展,現(xiàn)代社會(huì)對(duì)復(fù)雜數(shù)據(jù)處理的要求也越來越高。根據(jù)最新的“半導(dǎo)體國際技術(shù)路線圖”,通過縮小器件尺寸實(shí)現(xiàn)單位面積集成更多元器件提高器件性能的策略將在2022年達(dá)到瓶頸。神經(jīng)形態(tài)計(jì)算是一種有望突破馮.諾依曼框架的類腦計(jì)算方式。目前,研發(fā)出具有計(jì)算和存儲(chǔ)能力的新型類突觸電子元器件是組建神經(jīng)形態(tài)系統(tǒng)的關(guān)鍵,憶阻器仿生突觸的功能為真正實(shí)現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)計(jì)算提供了一個(gè)可行的方案。有機(jī)半導(dǎo)體具有成本低、分子結(jié)構(gòu)可設(shè)計(jì)、大面積柔性制造及制備工藝簡(jiǎn)單等優(yōu)勢(shì)成為憶阻器件材料體系的有力候選之一。然而,有機(jī)小分子/聚合物憶阻器由于功能層缺陷多、凝聚態(tài)復(fù)雜等劣勢(shì),往往伴隨著操作電壓較高和器件參數(shù)波動(dòng)明顯等問題。針對(duì)上述問題,我們課題組研究了一類基于卟啉小分子的氧離子遷移型憶阻器,發(fā)現(xiàn)其具有穩(wěn)定的多功能突觸模擬性能。本論文設(shè)計(jì)并合成了一類卟啉聚合物并應(yīng)用于憶阻器中,對(duì)其突觸功能模擬進(jìn)行了深入研究。（1）通過Lindsey反應(yīng)制備卟啉,合成2Br2ORTPP卟啉單體,并對(duì)合成路徑進(jìn)行改進(jìn)和優(yōu)化,通過結(jié)構(gòu)鑒定和反應(yīng)路徑分析解釋了卟啉可逆反應(yīng)的原理。將2Br2ORTPP和2Br... 

【文章來源】：南京郵電大學(xué)江蘇省

【文章頁數(shù)】：85 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

四個(gè)基本的雙端電路元件：電阻，電容，電感和憶阻器在線性元素的情況下，其中M是常數(shù)，與一般電阻相同

位碩士研究生學(xué)位論文 架構(gòu)的缺陷，神經(jīng)突觸模擬器件的研發(fā)變得尤為重要。憶阻個(gè)憶阻器件可以對(duì)突觸的多功能模擬的特性大大提升了電路編程支持的情況下模擬單個(gè)突觸工作，因此憶阻器對(duì)組建神意義。與憶阻器功能模擬前膜、突觸間隙和突觸后膜三部分構(gòu)成。突觸前細(xì)胞借助化送到突觸后細(xì)胞（化學(xué)突觸），同時(shí)借助于電信號(hào)傳遞信息

圖 1.3 Hebbian 學(xué)習(xí)的關(guān)鍵特性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的信息是儲(chǔ)存在突觸連接權(quán)重中，細(xì)胞n 規(guī)則是大腦學(xué)習(xí)律和生理變化之間的橋梁，為經(jīng)網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)神經(jīng)形態(tài)計(jì)算的模型基礎(chǔ)。依據(jù) H究包括短時(shí)程可塑性、長時(shí)程可塑性強(qiáng)直后增性[28]、“經(jīng)驗(yàn)學(xué)習(xí)”功能等[29, 30]。以下主要介可塑性：當(dāng)突觸在短時(shí)程內(nèi)被重復(fù)刺激或者抑恒定的，而是隨著先前頻率和刺激持續(xù)時(shí)間而SPs）根據(jù)近期的突觸前活動(dòng)的歷史有關(guān)。短時(shí)的刺激信號(hào)刺激突出時(shí)的 PSPs 是給予單個(gè)刺號(hào)下頻率越大，刺激響應(yīng) PSPs 越大。當(dāng)這種增

【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]基于ZnTPP的有機(jī)二極管憶阻器及其應(yīng)用研究[D]. 李騰飛.南京郵電大學(xué) 2018
[2]基于金屬卟啉的有機(jī)二極管憶阻器應(yīng)用研究[D]. 王智勇.南京郵電大學(xué) 2017



本文編號(hào)：3211611