在Si/SiO₂襯底上使用聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）制備器件介電層的修飾層,改善介電層界面質(zhì)量并誘導(dǎo)有源層生長(zhǎng),從而提高有源層的結(jié)晶程度。通過(guò)真空蒸鍍法生長(zhǎng)并五苯/紅熒烯雙層結(jié)構(gòu)有源層,制備有機(jī)薄膜晶體管（OTFT）,并研究器件性能隨紅熒烯層厚度變化的情況。測(cè)試結(jié)果表明,修飾后的器件閾值電壓為-3.55 V,電流開(kāi)關(guān)比大于10⁵,遷移率達(dá)到0.0558 cm²/V·s,亞閾值擺幅為1.95 V/dec,器件總體性能得到改善。 

【文章來(lái)源】：人工晶體學(xué)報(bào). 2020,49(02)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引 言
1 實(shí) 驗(yàn)
    1.1 實(shí)驗(yàn)材料
    1.2 器件制備
2 結(jié)果與討論
3 結(jié) 論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]雙異質(zhì)誘導(dǎo)層對(duì)紅熒烯薄膜晶體管性能的影響[J]. 孫洋,閆闖,謝強(qiáng),史超,張梁,王麗娟,孫麗晶.  高等學(xué)�；瘜W(xué)學(xué)報(bào). 2018(06)
[2]紅熒烯晶體薄膜的制備及應(yīng)用研究進(jìn)展[J]. 任偉,張沛沛,王麗娟,孫麗晶.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2018(04)
[3]溶液法制備PVP為界面修飾層的紅熒烯結(jié)晶性薄膜[J]. 李占國(guó),張沛沛,張梁,孫洋,尹麗,孫麗晶,王麗娟.  發(fā)光學(xué)報(bào). 2018(02)



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