在GaN薄膜外延生長過程中,成核層的質(zhì)量對外延薄膜的質(zhì)量有著重要的影響。因此,雖然氮氣氣氛下生長高質(zhì)量成核層是一個難點,但從安全和成本角度來考慮,值得去攻克這個難點。文章在氮氣氣氛下使用Thomas Swan 2英寸19片MOCVD（metal-organic chemical vapor deposition）工業(yè)級生長設備在藍寶石襯底上生長GaN成核層并利用原子力顯微鏡（Atomic force microscope,AFM）對樣品表面進行表征。進一步研究了生長溫度、生長時間、Ga源流量對GaN成核層的影響。結果表明GaN成核層的生長時間在2 min內(nèi)呈均勻單層生長,生長溫度在750℃以下成核島分布均勻,Ga源流量與GaN生長速率呈線性關系,可簡單的通過控制Ga源流量控制GaN成核層生長速率。 

【文章來源】：山西大學學報(自然科學版). 2020,43(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 實驗
2 實驗結果
3 結論


【參考文獻】：
碩士論文
[1]真空條件下感應加熱氮化工藝研究[D]. 閆錦.大連海事大學 2006



本文編號：3198402