在GaN薄膜外延生長過程中,成核層的質(zhì)量對外延薄膜的質(zhì)量有著重要的影響。因此,雖然氮?dú)鈿夥障律L高質(zhì)量成核層是一個(gè)難點(diǎn),但從安全和成本角度來考慮,值得去攻克這個(gè)難點(diǎn)。文章在氮?dú)鈿夥障率褂肨homas Swan 2英寸19片MOCVD（metal-organic chemical vapor deposition）工業(yè)級生長設(shè)備在藍(lán)寶石襯底上生長GaN成核層并利用原子力顯微鏡（Atomic force microscope,AFM）對樣品表面進(jìn)行表征。進(jìn)一步研究了生長溫度、生長時(shí)間、Ga源流量對GaN成核層的影響。結(jié)果表明GaN成核層的生長時(shí)間在2 min內(nèi)呈均勻單層生長,生長溫度在750℃以下成核島分布均勻,Ga源流量與GaN生長速率呈線性關(guān)系,可簡單的通過控制Ga源流量控制GaN成核層生長速率。 

【文章來源】：山西大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2020,43(01)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 實(shí)驗(yàn)
2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]真空條件下感應(yīng)加熱氮化工藝研究[D]. 閆錦.大連海事大學(xué) 2006



本文編號：3198402