在化學(xué)機械拋光（CMP）用二氧化硅漿料中加入不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)的混合保濕劑（由體積比為1∶1的分析純丙三醇和三乙醇胺混合而成）,以解決CMP過程中拋光液易團聚的問題。結(jié)果表明,拋光液中加入保濕劑后團聚問題得到緩解。隨保濕劑質(zhì)量分?jǐn)?shù)的增大,拋光液的團聚析出量減少,黏度增大,對藍(lán)寶石晶圓的去除速率先增大后減小,晶圓拋光后的表面粗糙度逐漸增大。當(dāng)保濕劑的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為4%時,對藍(lán)寶石晶圓進(jìn)行CMP時的材料去除速率最大,為93.6 nm/min,拋光后晶圓的表面粗糙度為0.412 nm。 

【文章來源】：電鍍與涂飾. 2020,39(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實驗
    1.1 拋光液的配制
    1.2 化學(xué)機械拋光
    1.3 性能檢測
2 結(jié)果與討論
    2.1 保濕劑對拋光液團聚析出量和黏度的影響
    2.2 保濕劑對藍(lán)寶石材料去除速率的影響
    2.3 保濕劑對拋光后藍(lán)寶石晶圓表面粗糙度的影響
3 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]陽離子型與非離子型表面活性劑的復(fù)配對阻擋層化學(xué)機械拋光的影響[J]. 王建超,劉玉嶺,牛新環(huán),楊盛華,張凱,周佳凱,張輝輝.  電鍍與涂飾. 2018(24)
[2]添加劑對微晶玻璃化學(xué)機械拋光的影響[J]. 白林山,王金普,儲向峰.  潤滑與密封. 2017(11)
[3]拋光液組分對硬盤盤基片超光滑表面拋光的影響[J]. 周艷,羅桂海,潘國順.  納米技術(shù)與精密工程. 2012(02)
[4]磨料黏度對CMP拋光速率的影響及機理的研究[J]. 李偉娟,周建偉,劉玉嶺,何彥剛,劉效巖,甘小偉.  半導(dǎo)體技術(shù). 2011(09)
[5]工藝條件對藍(lán)寶石化學(xué)機械拋光的影響[J]. 汪海波,俞沁聰,劉衛(wèi)麗,宋志棠,張楷亮.  功能材料與器件學(xué)報. 2010(03)
[6]化學(xué)機械拋光技術(shù)的研究進(jìn)展[J]. 雷紅,雒建斌,張朝輝.  上海大學(xué)學(xué)報(自然科學(xué)版). 2003(06)

碩士論文
[1]藍(lán)寶石晶片化學(xué)機械拋光液的研制[D]. 李樹榮.大連理工大學(xué) 2008
[2]天然保濕劑的合成及應(yīng)用研究[D]. 李鵬飛.江南大學(xué) 2005



本文編號：3189418