在化學機械拋光（CMP）用二氧化硅漿料中加入不同質(zhì)量分數(shù)的混合保濕劑（由體積比為1∶1的分析純丙三醇和三乙醇胺混合而成）,以解決CMP過程中拋光液易團聚的問題。結(jié)果表明,拋光液中加入保濕劑后團聚問題得到緩解。隨保濕劑質(zhì)量分數(shù)的增大,拋光液的團聚析出量減少,黏度增大,對藍寶石晶圓的去除速率先增大后減小,晶圓拋光后的表面粗糙度逐漸增大。當保濕劑的質(zhì)量分數(shù)為4%時,對藍寶石晶圓進行CMP時的材料去除速率最大,為93.6 nm/min,拋光后晶圓的表面粗糙度為0.412 nm。 

【文章來源】：電鍍與涂飾. 2020,39(03)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 實驗
    1.1 拋光液的配制
    1.2 化學機械拋光
    1.3 性能檢測
2 結(jié)果與討論
    2.1 保濕劑對拋光液團聚析出量和黏度的影響
    2.2 保濕劑對藍寶石材料去除速率的影響
    2.3 保濕劑對拋光后藍寶石晶圓表面粗糙度的影響
3 結(jié)論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]陽離子型與非離子型表面活性劑的復配對阻擋層化學機械拋光的影響[J]. 王建超,劉玉嶺,牛新環(huán),楊盛華,張凱,周佳凱,張輝輝.  電鍍與涂飾. 2018(24)
[2]添加劑對微晶玻璃化學機械拋光的影響[J]. 白林山,王金普,儲向峰.  潤滑與密封. 2017(11)
[3]拋光液組分對硬盤盤基片超光滑表面拋光的影響[J]. 周艷,羅桂海,潘國順.  納米技術(shù)與精密工程. 2012(02)
[4]磨料黏度對CMP拋光速率的影響及機理的研究[J]. 李偉娟,周建偉,劉玉嶺,何彥剛,劉效巖,甘小偉.  半導體技術(shù). 2011(09)
[5]工藝條件對藍寶石化學機械拋光的影響[J]. 汪海波,俞沁聰,劉衛(wèi)麗,宋志棠,張楷亮.  功能材料與器件學報. 2010(03)
[6]化學機械拋光技術(shù)的研究進展[J]. 雷紅,雒建斌,張朝輝.  上海大學學報(自然科學版). 2003(06)

碩士論文
[1]藍寶石晶片化學機械拋光液的研制[D]. 李樹榮.大連理工大學 2008
[2]天然保濕劑的合成及應用研究[D]. 李鵬飛.江南大學 2005



本文編號：3189418