基于熱場發(fā)射-擴散模型,研究兩相同器件結(jié)構(gòu)的常規(guī)和倒置InGaP/GaAs HBT器件的性能差異。結(jié)論表明:倒置InGaP/GaAs HBT具有更好的開啟電壓和高頻特性,而常規(guī)的InGaP/GaAs HBT具有更高的直流增益和更大的直流電流輸出。 

【文章來源】：中國職協(xié)2017年度優(yōu)秀科研成果獲獎?wù)撐募ㄒ欢泉劊┲袊毠そ逃吐殬I(yè)培訓(xùn)協(xié)會秘書處專題資料匯編

【文章頁數(shù)】：3 頁

【參考文獻】：
期刊論文
[1]異質(zhì)結(jié)界面電荷對突變InP/InGaAs異質(zhì)結(jié)雙極晶體管熱場發(fā)射影響研究[J]. 周守利,李伽,任宏亮,溫浩,彭銀生.  物理學報. 2013(17)



本文編號：3189345