發(fā)布時間：2021-05-15 14:46

　　目前,量子點電致發(fā)光器件（QLED）經(jīng)過幾十年的研究和發(fā)展,其商業(yè)化黎明正在到來。QLED的高色域,高亮度,窄半寬峰使得其在顯示領(lǐng)域備受關(guān)注。量子點材料被廣泛應(yīng)用在手機(jī),電視,電腦等產(chǎn)品中。目前研究主要以有機(jī)空穴傳輸層和無機(jī)電子傳輸層夾心結(jié)構(gòu)為主。由于是多層結(jié)構(gòu)器件,其制作涉及多種材料和工藝。該研究主要是為了獲得更好電光轉(zhuǎn)化效率（EQE）的和更長壽命的QLED。針對QLED存在的問題,本文研究工作如下:合成PLQY超過80%CdSe/ZnS高性能核殼結(jié)構(gòu)量子點,并對其使用十二硫醇配體交換制作器件量子點發(fā)光層材料。合成了氧化鋅量子點和低溫退火摻銅氧化鎳納米晶,并通過調(diào)節(jié)材料結(jié)構(gòu)和組分獲得表現(xiàn)良好的電子傳輸層和空穴傳輸層材料。研究不同器件結(jié)構(gòu),并通過對器件的功能層如電荷傳輸層（電子和空穴）,發(fā)光層以及電極工藝進(jìn)行研究。使用了可見光吸收光譜,TEM,AFM等多種表征技術(shù)對材料和器件進(jìn)行了表征。對器件測試從原理上進(jìn)行了推導(dǎo),使用光譜儀,光功率計,2400源表結(jié)合并使用MATLAB編程實現(xiàn)了對于不同波段量子點材料光致發(fā)光熒光效率和器件的光電性能測試與數(shù)據(jù)處理。研究發(fā)現(xiàn)使用氧化鎳作為空穴傳輸層可有... 

【文章來源】：華中科技大學(xué)湖北省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：96 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 膠體量子點在納米尺度特性
    1.2 平板顯示的發(fā)展歷史和技術(shù)走向
    1.3 量子點顯示發(fā)展趨勢
    1.4 QLED的研究現(xiàn)狀
    1.5 選題意義及主要研究內(nèi)容
2 QLED器件機(jī)理和量子點制備
    2.1 發(fā)光機(jī)理和器件結(jié)構(gòu)
    2.2 器件材料
    2.3 QLED參數(shù)和材料表征
    2.4 量子點的合成與表征
    2.5 本章小結(jié)
3 電荷傳輸層材料的制備和表征
    3.1 氧化鋅合成與表征
    3.2 氧化鎳合成與表征
    3.3 本章小結(jié)
4 QLED的制備及表征
    4.1 實驗試劑和設(shè)備
    4.2 器件制作工藝和改良
    4.3 器件空穴傳輸層研究和表征
    4.4 QLED電子傳輸層研究和表征
    4.5 器件發(fā)光層厚度的研究
    4.6 本章小結(jié)
5 QLED光電性能測試平臺設(shè)計和軟件實現(xiàn)
    5.1 QLED測試方案和理論推導(dǎo)
    5.2 QLED基于MATLAB數(shù)據(jù)處理實現(xiàn)
    5.3 QLED測試驗證
    5.4 本章小結(jié)
6 總結(jié)和展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄一 部分關(guān)鍵代碼
附錄二 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的論文


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]鈣鈦礦二維納米材料的合成和發(fā)光研究進(jìn)展[J]. 孟競佳,張峰,任艷東,劉立格,劉永皓,鐘海政.  應(yīng)用化學(xué). 2018(03)
[2]量子點發(fā)光二極管中載流子注入機(jī)理的研究[J]. 馬航,李鄧化,陳雯柏,葉繼興.  光電子·激光. 2016(07)
[3]膠體法制備Mn2+摻雜Ⅱ-Ⅵ族稀磁性半導(dǎo)體納米晶體材料的研究進(jìn)展[J]. 李瑞,鐘海政,張澤朋,楊春和,李永舫.  化學(xué)通報. 2007(08)
[4]半導(dǎo)體物理效應(yīng)與光電子高技術(shù)產(chǎn)業(yè)[J]. 王啟明.  物理. 2002(07)

碩士論文
[1]CdSe/ZnS核殼型量子點的合成及修飾[D]. 朱堯.華中科技大學(xué) 2009



本文編號：3187825