在藍寶石襯底上,利用金屬-有機物化學(xué)氣相沉積（MOCVD）方法制備p-i-n結(jié)構(gòu)AlGaN基體,采用常規(guī)工藝制作臺面型紫外探測器。電子束蒸發(fā)蒸鍍Ni/Au/Ni/Au（20nm/20nm/20nm/20nm）結(jié)構(gòu)制備p電極。經(jīng)空氣中550℃/3 min一次退火和N2氣氛中750℃/30s二次退火后得到歐姆接觸。利用高分辨透射電鏡（HRTEM）和能譜（EDS）研究不同退火條件下p電極接觸的組織結(jié)構(gòu)演變。結(jié)果表明:一次退火p電極金屬層出現(xiàn)明顯擴散,但仍維持初始的分層狀態(tài),金屬/半導(dǎo)體接觸界面產(chǎn)生厚約4nm的非晶層;二次退火后,金屬電極分層現(xiàn)象和界面非晶層消失。金/半界面結(jié)構(gòu)表現(xiàn)為半共格關(guān)系,界面結(jié)構(gòu)有序性提高。Ni向外擴散,Au向內(nèi)擴散,Ga擴散至金屬電極,造成界面附近金屬層富集Au、Ga元素,導(dǎo)致p電極歐姆接觸的形成。 

【文章來源】：光電子·激光. 2016,27(04)北大核心CSCD

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 一次退火后電極接觸結(jié)構(gòu)研究
    3.2 二次退火后電極接觸結(jié)構(gòu)研究
3 結(jié)論



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