中紅外激光晶體Dy:PbGa 2 S 4 的生長與器件制備
發(fā)布時間:2021-04-23 22:49
鏑摻雜硫鎵鉛(Dy∶PbGa2S4,Dy∶PGS)晶體是一種性能優(yōu)良、具有潛在應用價值的中紅外激光介質(zhì)材料。為推動該晶體的實用化研究,迫切需要制備出大尺寸高品質(zhì)Dy∶PGS單晶。本研究采用自制的雙溫區(qū)管式爐成功合成Dy∶PbGa2S4多晶,單次合成量達到230 g;首次采用豎直梯度冷凝法制備該晶體并成功生長出大尺寸高質(zhì)量Dy∶PbGa2S4單晶,尺寸達到?27 mm×100 mm;通過切割和拋光等處理工藝,成功加工出Dy∶PbGa2S4晶體器件,為下一步的激光應用研究打下了堅實基礎。
【文章來源】:人工晶體學報. 2020,49(05)北大核心
【文章頁數(shù)】:3 頁
本文編號:3156187
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