隨著物聯(lián)網(wǎng)和可穿戴醫(yī)療設(shè)備的普及,功耗越來越成為電路設(shè)計(jì)的主要考量因素。對(duì)于功耗問題,主要從開源和節(jié)流兩個(gè)方面來考慮。開源即增加設(shè)備的能量來源途徑,如太陽能、風(fēng)能、機(jī)械能,還有無處不在的無線射頻能量。節(jié)流就是通過降低系統(tǒng)的功耗來提高設(shè)備的工作壽命,對(duì)于模擬電路設(shè)計(jì)來說,可以通過降低電源電壓、設(shè)計(jì)新的電路架構(gòu)等方式來實(shí)現(xiàn)�；鶞�(zhǔn)電壓源電路作為給ADC、DAC等電路提供參考電壓的模塊,在模擬電路中是必不可少的。如何設(shè)計(jì)一款可以在低壓下工作,輸出參考電壓比較低,并且功耗很低的基準(zhǔn)源電路已經(jīng)迫在眉睫。本文的主要工作內(nèi)容如下:（1）使用雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor,BJT）設(shè)計(jì)了高精度電壓基準(zhǔn)源電路,輸出參考電壓為169mV,在典型工藝角下,溫度系數(shù)僅為4.35ppm/℃,在不同的工藝角下,輸出電壓偏差不超過1mV。（2）利用工作在亞閾值區(qū)的MOSFET,設(shè)計(jì)了一款超低功耗電壓基準(zhǔn)源電路。使用柵極接地的Native NMOS作為偏置電流源,供給自偏置結(jié)構(gòu)的MOSFET產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓。傳統(tǒng)的低功耗基準(zhǔn)源電路的輸出電壓是基于NMOS的閾值電壓,但是由于NMOS的... 

【文章來源】：安徽大學(xué)安徽省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 課題研究背景及意義
    1.2 基準(zhǔn)源研究歷史及現(xiàn)狀
    1.3 研究?jī)?nèi)容及創(chuàng)新點(diǎn)
    1.4 論文組織結(jié)構(gòu)及編排
第二章 高精度基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)
    2.1 基準(zhǔn)源電路的主要指標(biāo)
    2.2 高精度基準(zhǔn)源電路設(shè)計(jì)
        2.2.1 電流鏡
        2.2.2 運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)
        2.2.3 晶體管的溫度特性
        2.2.4 與溫度無關(guān)的電壓源
        2.2.5 總體原理圖設(shè)計(jì)
    2.3 高精度基準(zhǔn)電壓源電路仿真結(jié)果
第三章 超低功耗電壓基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
    3.1 亞閾值MOSFET的電壓電流特性
    3.2 超低功耗基準(zhǔn)源電路設(shè)計(jì)
    3.3 數(shù)字修調(diào)電路的設(shè)計(jì)
第四章 高精度低功耗基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)
    4.1 高精度低功耗基準(zhǔn)源整體原理圖
    4.2 參考電壓源電路物理實(shí)現(xiàn)
        4.2.1 數(shù)字電路物理實(shí)現(xiàn)
        4.2.2 模擬電路物理實(shí)現(xiàn)
    4.3 超低功耗高精度參考電壓源電路仿真
        4.3.1 前仿結(jié)果
        4.3.2 后仿結(jié)果
總結(jié)與展望
    論文總結(jié)
    研究展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的學(xué)術(shù)成果
致謝



本文編號(hào)：3154688