隨著物聯網和可穿戴醫(yī)療設備的普及,功耗越來越成為電路設計的主要考量因素。對于功耗問題,主要從開源和節(jié)流兩個方面來考慮。開源即增加設備的能量來源途徑,如太陽能、風能、機械能,還有無處不在的無線射頻能量。節(jié)流就是通過降低系統(tǒng)的功耗來提高設備的工作壽命,對于模擬電路設計來說,可以通過降低電源電壓、設計新的電路架構等方式來實現�；鶞孰妷涸措娐纷鳛榻oADC、DAC等電路提供參考電壓的模塊,在模擬電路中是必不可少的。如何設計一款可以在低壓下工作,輸出參考電壓比較低,并且功耗很低的基準源電路已經迫在眉睫。本文的主要工作內容如下:（1）使用雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor,BJT）設計了高精度電壓基準源電路,輸出參考電壓為169mV,在典型工藝角下,溫度系數僅為4.35ppm/℃,在不同的工藝角下,輸出電壓偏差不超過1mV。（2）利用工作在亞閾值區(qū)的MOSFET,設計了一款超低功耗電壓基準源電路。使用柵極接地的Native NMOS作為偏置電流源,供給自偏置結構的MOSFET產生基準電壓。傳統(tǒng)的低功耗基準源電路的輸出電壓是基于NMOS的閾值電壓,但是由于NMOS的... 

【文章來源】：安徽大學安徽省 211工程院校

【文章頁數】：64 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 課題研究背景及意義
    1.2 基準源研究歷史及現狀
    1.3 研究內容及創(chuàng)新點
    1.4 論文組織結構及編排
第二章 高精度基準電壓源的設計
    2.1 基準源電路的主要指標
    2.2 高精度基準源電路設計
        2.2.1 電流鏡
        2.2.2 運算放大器的設計
        2.2.3 晶體管的溫度特性
        2.2.4 與溫度無關的電壓源
        2.2.5 總體原理圖設計
    2.3 高精度基準電壓源電路仿真結果
第三章 超低功耗電壓基準源的設計
    3.1 亞閾值MOSFET的電壓電流特性
    3.2 超低功耗基準源電路設計
    3.3 數字修調電路的設計
第四章 高精度低功耗基準源的設計
    4.1 高精度低功耗基準源整體原理圖
    4.2 參考電壓源電路物理實現
        4.2.1 數字電路物理實現
        4.2.2 模擬電路物理實現
    4.3 超低功耗高精度參考電壓源電路仿真
        4.3.1 前仿結果
        4.3.2 后仿結果
總結與展望
    論文總結
    研究展望
參考文獻
攻讀碩士學位期間取得的學術成果
致謝



本文編號：3154688