高峰值功率半導(dǎo)體激光陣列在高溫工作條件中的應(yīng)用需求日益凸顯,本文以微通道封裝的高峰值功率960 nm半導(dǎo)體激光陣列為研究對象,通過精密控溫系統(tǒng)測試了其在10～80℃范圍內(nèi)峰值功率、電光轉(zhuǎn)換效率、工作電壓和光譜等一系列光電特性,結(jié)合理論分析,給出不同溫度下電光轉(zhuǎn)化效率的能量損耗分布。結(jié)果表明,工作溫度從10℃升高到80℃后,電光轉(zhuǎn)化效率從63.95%下降到47.68%,其中載流子泄漏損耗占比從1.93%上升到14.85%,是導(dǎo)致電光轉(zhuǎn)換效率下降的主要因素。該研究對高峰值功率半導(dǎo)體激光器陣列在高溫應(yīng)用和激光芯片設(shè)計方面具有重要的指導(dǎo)意義。 

【文章來源】：發(fā)光學(xué)報. 2020,41(09)北大核心EICSCD

【文章頁數(shù)】：7 頁

【部分圖文】：

激光陣列高溫測試表征系統(tǒng)簡圖

高峰值功率半導(dǎo)體激光陣列測試曲線和近場光斑測試圖。

器件在10～80 ℃范圍內(nèi)的輸出功率如圖3所示,從功率-電流(P-I)曲線可以分別獲得在不同溫度下器件的閾值電流,斜率效率和特征溫度。激光器的輸出功率表示如下[12]:

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3144587