發(fā)布時(shí)間：2021-04-15 22:40

　　Ti O2具有優(yōu)良的光催化活性,然而其較寬的帶隙（Eg=3.2e V）導(dǎo)致其利用太陽(yáng)可見(jiàn)光性能較差。將Ti O2與其它窄帶隙半導(dǎo)體材料進(jìn)行有效的復(fù)合,為處理以上問(wèn)題提供了有益的解決方案。本工作嘗試將窄帶隙的硅（Eg=1.12e V）與Ti O2進(jìn)行復(fù)合而形成Ti O2/Si光催化材料。從應(yīng)用的角度出發(fā),使用具有納米陷光結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)級(jí)（So G）Si片并在其上采用液相沉積法（LPD）能夠較容易地制備大面積的Ti O2薄膜。結(jié)果表明,Ti O2/Si復(fù)合材料的可見(jiàn)光吸收和光催化性能得到較大提升,從而使得該技術(shù)途徑在利用太陽(yáng)能光降解領(lǐng)域顯示出較好的應(yīng)用前景。在本論文中,我們采用液相沉積法（LPD）分別在不同微結(jié)構(gòu)的太陽(yáng)能（So G）多晶硅片上制備了Ti O2薄膜,并對(duì)其光催化性能進(jìn)行了研究。論文主要的研究結(jié)果以下:一、采用液相沉積法（LPD）制備Ti O2薄膜,研究了不同的氟鈦酸銨和硼酸濃度、沉積溫度、沉積時(shí)間、退火溫度因素對(duì)薄膜表面結(jié)構(gòu)的影響。并由此確定了最佳的薄膜制備工藝:0.1mol/L的（NH4）2Ti F6和0.4 mol/L的H3BO3,在55℃溫度下沉積1h并在700℃下進(jìn)行熱處... 

【文章來(lái)源】：蘇州大學(xué)江蘇省

【文章頁(yè)數(shù)】：73 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

不同表面結(jié)構(gòu)的硅片的反射率[9]

圖 1-2 TiO2的晶體結(jié)構(gòu)2 TiO2的光催化原理半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)包括導(dǎo)帶和價(jià)帶，在高能的導(dǎo)帶和低能的價(jià)帶之間存在體的最大光響應(yīng)波長(zhǎng) λg 與禁帶寬度 Eg 成反比，它們之間滿足關(guān)系式 [1

圖 1-3 幾種半導(dǎo)體在水溶液中（PH=1.0）的帶隙能級(jí)及其價(jià)帶和導(dǎo)帶電位[15]二氧化鈦表面被波長(zhǎng)小于387 nm 的光照射后，價(jià)帶上的電子(e-)被激，在價(jià)帶上留下相應(yīng)的空穴(h+)，產(chǎn)生光生電子-空穴對(duì)又能重新復(fù)合以熱能等形式散發(fā)出去。其光催化機(jī)理示意圖如圖1-4所示：


本文編號(hào)：3140217