Ti O2具有優(yōu)良的光催化活性,然而其較寬的帶隙（Eg=3.2e V）導致其利用太陽可見光性能較差。將Ti O2與其它窄帶隙半導體材料進行有效的復合,為處理以上問題提供了有益的解決方案。本工作嘗試將窄帶隙的硅（Eg=1.12e V）與Ti O2進行復合而形成Ti O2/Si光催化材料。從應用的角度出發(fā),使用具有納米陷光結(jié)構(gòu)的太陽級（So G）Si片并在其上采用液相沉積法（LPD）能夠較容易地制備大面積的Ti O2薄膜。結(jié)果表明,Ti O2/Si復合材料的可見光吸收和光催化性能得到較大提升,從而使得該技術(shù)途徑在利用太陽能光降解領(lǐng)域顯示出較好的應用前景。在本論文中,我們采用液相沉積法（LPD）分別在不同微結(jié)構(gòu)的太陽能（So G）多晶硅片上制備了Ti O2薄膜,并對其光催化性能進行了研究。論文主要的研究結(jié)果以下:一、采用液相沉積法（LPD）制備Ti O2薄膜,研究了不同的氟鈦酸銨和硼酸濃度、沉積溫度、沉積時間、退火溫度因素對薄膜表面結(jié)構(gòu)的影響。并由此確定了最佳的薄膜制備工藝:0.1mol/L的（NH4）2Ti F6和0.4 mol/L的H3BO3,在55℃溫度下沉積1h并在700℃下進行熱處... 

【文章來源】：蘇州大學江蘇省

【文章頁數(shù)】：73 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

不同表面結(jié)構(gòu)的硅片的反射率[9]

圖 1-2 TiO2的晶體結(jié)構(gòu)2 TiO2的光催化原理半導體的能帶結(jié)構(gòu)包括導帶和價帶，在高能的導帶和低能的價帶之間存在體的最大光響應波長 λg 與禁帶寬度 Eg 成反比，它們之間滿足關(guān)系式 [1

圖 1-3 幾種半導體在水溶液中（PH=1.0）的帶隙能級及其價帶和導帶電位[15]二氧化鈦表面被波長小于387 nm 的光照射后，價帶上的電子(e-)被激，在價帶上留下相應的空穴(h+)，產(chǎn)生光生電子-空穴對又能重新復合以熱能等形式散發(fā)出去。其光催化機理示意圖如圖1-4所示：


本文編號：3140217