憶阻器電路元件出現(xiàn)不僅彌補了傳統(tǒng)電路系統(tǒng)理論的缺失,而且憶阻與傳統(tǒng)的電路基礎(chǔ)物理量電阻、電感和電容一起,構(gòu)成了完整的電路理論基礎(chǔ)。同時,憶阻器內(nèi)部當(dāng)通過的電流發(fā)生變化時可以引起電阻的變化的獨特物理結(jié)構(gòu)屬性,使得憶阻器這種新型的電子元件成為性能優(yōu)越的非易失性信息存儲器,這種特性導(dǎo)致憶阻器在應(yīng)用中存在巨大潛力。在有關(guān)混沌系統(tǒng)的研究和電路仿真的研究過程中,非線性系統(tǒng)或混沌系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型進行仿真的過程可以通過憶阻器非線性電路模型對混沌系統(tǒng)中的狀態(tài)變量進行替代,這樣可以降低仿真研發(fā)成本而且可以直接通過調(diào)整電路參數(shù)來達(dá)到調(diào)整系統(tǒng)參數(shù)的目的,也可以通過搭建非線性電路模型對混沌系統(tǒng)理論分析結(jié)果進行驗證,將復(fù)雜系統(tǒng)的仿真模型轉(zhuǎn)換為非線性電路系統(tǒng)進行研究提供了更加便利的實現(xiàn)方法。本文針對Lü混沌系統(tǒng)和荷控型憶阻器設(shè)計出新型的超混沌系統(tǒng)并對其進行動力學(xué)行為分析,混沌控制及混沌同步研究,最后使用混沌遮掩方案實現(xiàn)超混沌系統(tǒng)在混沌保密通信系統(tǒng)的應(yīng)用研究,主要內(nèi)容如下。（1）本文在Lü系統(tǒng)的基礎(chǔ)上,介紹了其三維混沌系統(tǒng)的數(shù)學(xué)模型并分析其耗散性、相空間中存在的對稱性以及分岔特性等。根據(jù)混沌系統(tǒng)的平衡點對應(yīng)的特征值在復(fù)... 

【文章來源】：蘭州交通大學(xué)甘肅省

【文章頁數(shù)】：68 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

憶阻器芯片實物圖

蘭州交通大學(xué)碩士學(xué)位論文-11-圖2.2Lü系統(tǒng)狀態(tài)變量x和z的時域波形圖圖2.3Lü系統(tǒng)狀態(tài)變量的相軌跡圖數(shù)值模擬結(jié)果表明系統(tǒng)在所選取的參數(shù)范圍和初始條件下相平面的運動軌跡表現(xiàn)為雙渦卷的復(fù)雜混沌吸引子。系統(tǒng)各個狀態(tài)變量時域下的對應(yīng)的相軌跡和在二維平面和在三維相空間中的投影如圖2.2-2.3所示，其狀態(tài)變量x(t)和的時域波形圖如圖2.1(a)所示。從仿真結(jié)果繪制的Lü系統(tǒng)的狀態(tài)變量之間的在相空間內(nèi)的運行軌跡圖可以看出，該混沌系統(tǒng)在一定參數(shù)取值時具有在相空間中復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的吸雙渦卷混沌引子，運行軌道以兩個混沌系統(tǒng)對應(yīng)的平衡點為中心在相空間內(nèi)不斷進行擾動且隨迭代次數(shù)的增加相軌跡均往z軸的正方向存在伸展的趨勢。此外，如圖2.1所示Lü系統(tǒng)的各個狀態(tài)變

蘭州交通大學(xué)碩士學(xué)位論文-11-圖2.2Lü系統(tǒng)狀態(tài)變量x和z的時域波形圖圖2.3Lü系統(tǒng)狀態(tài)變量的相軌跡圖數(shù)值模擬結(jié)果表明系統(tǒng)在所選取的參數(shù)范圍和初始條件下相平面的運動軌跡表現(xiàn)為雙渦卷的復(fù)雜混沌吸引子。系統(tǒng)各個狀態(tài)變量時域下的對應(yīng)的相軌跡和在二維平面和在三維相空間中的投影如圖2.2-2.3所示，其狀態(tài)變量x(t)和的時域波形圖如圖2.1(a)所示。從仿真結(jié)果繪制的Lü系統(tǒng)的狀態(tài)變量之間的在相空間內(nèi)的運行軌跡圖可以看出，該混沌系統(tǒng)在一定參數(shù)取值時具有在相空間中復(fù)雜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的吸雙渦卷混沌引子，運行軌道以兩個混沌系統(tǒng)對應(yīng)的平衡點為中心在相空間內(nèi)不斷進行擾動且隨迭代次數(shù)的增加相軌跡均往z軸的正方向存在伸展的趨勢。此外，如圖2.1所示Lü系統(tǒng)的各個狀態(tài)變

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3117737