基于28 nm先進工藝平臺,研究了有源區(qū)工藝中大顆粒狀缺陷（LPD）的產(chǎn)生機理及優(yōu)化方案。研究結(jié)果表明,LPD的產(chǎn)生與晶圓邊緣倒角形狀相關(guān),較短的倒角導(dǎo)致晶圓在CVD工藝中產(chǎn)生背面劃傷。劃傷產(chǎn)生的顆粒在氣體作用下浮到晶圓表面,經(jīng)過后續(xù)工藝步驟后,在有源區(qū)硬掩膜氧化層表面形成LPD。提出了改善晶圓邊緣倒角形狀和嵌入NANO噴灑工藝步驟的優(yōu)化方案,消除了LPD,提高了產(chǎn)品的合格率。 

【文章來源】：微電子學(xué). 2020,50(04)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

有源區(qū)制作工藝步驟

在AAHMOX中,三類襯底的顆粒狀缺陷數(shù)量分布如圖2所示。可以看出,硅襯底3的缺陷數(shù)量明顯高于硅襯底1、硅襯底2。三類硅襯底來自于不同的襯底供應(yīng)商,三者的主要區(qū)別在于襯底邊緣的倒角形狀。襯底1、襯底2的倒角較長,襯底3的倒角較短。硅襯底邊緣倒角參數(shù)分布如圖3所示。圖中,A1、A2值代表晶圓倒角的長短。

硅襯底邊緣倒角參數(shù)分布如圖3所示。圖中,A1、A2值代表晶圓倒角的長短。AAHMOX中,顆粒狀缺陷分布、LPD缺陷、圖形缺失缺陷分別如圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)所示。


本文編號：3109445