憶阻器是一種新型電子器件,因其具有獨特的記憶性,利用其構(gòu)建的憶阻混沌系統(tǒng)有著一般混沌系統(tǒng)所不同的動力學(xué)特性。憶阻混沌系統(tǒng)除了在電路參數(shù)方面表現(xiàn)出敏感性外,還隨著憶阻器的初始值變化而變化。而且通過憶阻混沌系統(tǒng)產(chǎn)生的偽隨機序列,比一般混沌信號更難預(yù)測。如果將來能制作出像電阻那樣既便宜又實用的元器件,我們就可以用憶阻器代替非線性器件,使得電路變得更加簡單實用。目前對于憶阻混沌電路的研究報道大多是由蔡氏混沌電路變換而來的,因此探尋其它設(shè)計方法是一個很有意義的工作。本文以三次光滑非線性磁控憶阻器和分段線性磁控憶阻器為例,利用不同種類的RC振蕩電路與憶阻器耦合設(shè)計出多種憶阻混沌電路,其電路結(jié)構(gòu)簡單,不含有電感且能產(chǎn)生具有不同動力學(xué)行為的混沌信號。本文具體工作如下:1.對較為常用的三次光滑非線性模型和分段函數(shù)模型進行了分析研究,并采用電路仿真的方法實現(xiàn)憶阻特性的等效電路。通過仿真電路得到憶阻器伏安特性曲線,驗證了所設(shè)計的電路具有憶阻元件特性。2.利用三種不同的RC振蕩電路與憶阻器耦合設(shè)計出多種不同的憶阻混沌系統(tǒng)。分別利用RC文氏橋振蕩電路、RC單T振蕩電路和RC雙T振蕩電路與不同類型的憶阻器耦合,或... 

【文章來源】：東北師范大學(xué)吉林省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：63 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

憶阻器的電路符號

圖 1-2 電路四個基礎(chǔ)元件之間的關(guān)系出q和j 之間的關(guān)系需要大家進一步研究確定。他們之間的j平面上的一條曲線 f (j ,q)=0來確定。如果 f (j ,q)=0是由電稱為荷控憶阻，其特性曲線的斜率為 M ( q ) = dj ( q )/dq；相應(yīng)數(shù)表示時，則稱為磁控憶阻，其特性曲線的斜率 W (j ) = dq (j )/d基礎(chǔ)元件不同的是，憶阻器有著最為典型的非線性特性即“8如圖 1-3 所示。隨著輸入信號頻率越來越大，旁瓣面積逐漸減，其伏安特性曲線為一條直線，此時憶阻器變成普通的電阻。

圖 1-2 電路四個基礎(chǔ)元件之間的關(guān)系間的關(guān)系需要大家進一步研究確定。他們一條曲線 f (j ,q)=0來確定。如果 f (j ,q)=0阻，其特性曲線的斜率為 M ( q ) = dj ( q )/dq稱為磁控憶阻，其特性曲線的斜率 W (j ) = 同的是，憶阻器有著最為典型的非線性特性。隨著輸入信號頻率越來越大，旁瓣面積性曲線為一條直線，此時憶阻器變成普通的

【參考文獻】：
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碩士論文
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本文編號：3107660