隨著MEMS技術(shù)的迅速發(fā)展,金屬微器件的需求量逐漸增加�；赟U-8光刻膠的UV-LIGA技術(shù)是制作金屬微器件的有效方法之一。在以SU-8光刻膠UV-LIGA技術(shù)制作金屬微器件的過程中,直接將金屬作為基底制作微器件具有工序少、電鑄時(shí)間短、基底不易損壞等優(yōu)點(diǎn)。然而,在以金屬為基底的SU-8膠光刻過程中,由于SU-8光刻膠與金屬基底結(jié)合性能較差,容易產(chǎn)生膠體與基體結(jié)合失敗,進(jìn)而出現(xiàn)脫落現(xiàn)象,嚴(yán)重時(shí)會(huì)造成圖形的徹底損壞,導(dǎo)致制作失敗,因此本文針對(duì)SU-8光刻膠與金屬基底界面結(jié)合強(qiáng)度低的問題開展研究：對(duì)界面結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行了定量評(píng)估,并探索了提高界面結(jié)合強(qiáng)度的有效方法,這對(duì)提高微器件制作的成品率和可靠性具有重要的意義。本文建立了定量測量SU-8光刻膠與金屬基底界面結(jié)合強(qiáng)度的方法。探討了幾種測量界面結(jié)合強(qiáng)度方法的可行性,分別采用垂直拉伸法、壓痕法和劃痕法對(duì)SU-8光刻膠與金屬基底的界面結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行了測量,并建立了壓痕法和劃痕法的理論模型。研究結(jié)果表明：垂直拉伸法和壓痕法不適合對(duì)SU-8光刻膠與金屬基底界面實(shí)際結(jié)合強(qiáng)度進(jìn)行測量,而劃痕法能夠較準(zhǔn)確地測量SU-8光刻膠與金屬基底界面結(jié)合強(qiáng)度。同時(shí),根據(jù)聚... 

【文章來源】：大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：163 頁

【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

微齒輪(a)單層微齒輪[14];(b)雙層微齒輪[8]

圖1.2 (a)為ICataoka[6】等人制作的一種由微懸臂梁結(jié)構(gòu)構(gòu)成的MEMS探針卡，該探針卡能夠以較小的力去觸控集成電路的引腳。劉益芳[22]等人采用微電鑄研制了金屬Ni懸臂梁，如圖1.2 (b),該金屬微懸臂梁能夠在微隨道陀螺儀中兼作電極。鍍有金屬薄膜的二氧化娃懸臂梁應(yīng)用于光調(diào)制器陣列和微型機(jī)械幵關(guān)中。(a) (b)圖1.2微懸臂梁（a)探針卡[6]; (b)Ni懸臂梁[22]Fig. 1.2 Micro cantilevers (a) the probe card; (b) N i micro cantilever/" ... ..碑:.... .,::::::...:. <'' : ‘ .. —喊-圖1. 3熱微錄實(shí)物圖及其閥的放大圖[23]Fig. 1.3 Photograph of thermal micro pump and enlarged photograph of the valves^圖1.3為YokoyanW23l等人制作的環(huán)形溝道的熱微粟，該栗能夠?yàn)槲⑿蜔彷斔脱b置提供動(dòng)力。他們?cè)贑u基底上刻燭出一個(gè)溝槽，然后旋涂SU-8光刻膠進(jìn)行光刻，并電鑄Cu得到微閥。之后在玻璃基底上沉積氧化銦并刻燭，再在上面沉積上Si02，最后用環(huán)- 2 -

Fig. 1.3 Photograph of thermal micro pump and enlarged photograph of the valves^圖1.3為YokoyanW23l等人制作的環(huán)形溝道的熱微粟，該栗能夠?yàn)槲⑿蜔彷斔脱b置提供動(dòng)力。他們?cè)贑u基底上刻燭出一個(gè)溝槽，然后旋涂SU-8光刻膠進(jìn)行光刻，并電鑄Cu得到微閥。之后在玻璃基底上沉積氧化銦并刻燭，再在上面沉積上Si02，最后用環(huán)- 2 -

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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本文編號(hào)：3099245