發(fā)布時(shí)間：2021-03-17 12:41

　　近幾年,隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,人們對(duì)信息數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、快速分類和管理提出了更高的要求。存儲(chǔ)器也在不斷的更新?lián)Q代,大多數(shù)的研究者期望通過(guò)新材料和新技術(shù)提升存儲(chǔ)器的性能和容量。據(jù)報(bào)道,研究人員發(fā)現(xiàn)憶阻效應(yīng)不僅可用于非易失性存儲(chǔ)器,還可用于類腦神經(jīng)形態(tài)計(jì)算和非易失性邏輯運(yùn)算。氧化鋅（ZnO）作為與常規(guī)過(guò)渡金屬氧化物半導(dǎo)體技術(shù)兼容的憶阻材料之一,基于ZnO憶阻器的存儲(chǔ)能力、整流特性和雙極性阻變效應(yīng)具有誘人的應(yīng)用潛力。憶阻器大多為金屬細(xì)絲機(jī)制,且目前已經(jīng)通過(guò)掃描透射電子顯微鏡觀察到了金屬細(xì)絲的生長(zhǎng)過(guò)程,而界面類型的憶阻器具有便于縮小尺寸,提高集成度的優(yōu)勢(shì)。更進(jìn)一步,憶阻效應(yīng)可由光照、溫度、磁場(chǎng)和濕度等調(diào)控,而不同取向異質(zhì)結(jié)的憶阻效應(yīng)仍未有報(bào)道。另外,伴隨雙極性阻變出現(xiàn)的負(fù)微分電阻效應(yīng)（NDR）調(diào)控的研究也不多,尤其是負(fù)脈沖幅值/寬度和限制電流的影響。本論文選取摻雜濃度0.7 wt%的單晶Nb:SrTiO₃（NSTO）襯底,通過(guò)脈沖激光沉積和磁控濺射技術(shù)制備ZnO薄膜。我們發(fā)現(xiàn)NSTO襯底不同的取向或預(yù)處理都強(qiáng)烈影響ZnO薄膜的面外及面內(nèi)取向、形貌和電學(xué)性質(zhì)。有趣的是,伴隨雙極... 

【文章來(lái)源】：河南大學(xué)河南省

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

不同轉(zhuǎn)換機(jī)制的示意圖：（a）導(dǎo)電細(xì)絲類型；（b）界面類型；（c）相變類型[8]

基于簡(jiǎn)單二元陰離子遷移的器件中切換過(guò)程的示意圖[10]

反應(yīng)后的納米線（ZnO）和陽(yáng)離子交換的雜納米線（ZnO/TiO2）的HAADF-STEM圖像和EDS映射

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]脈沖激光沉積法生長(zhǎng)的石英基ZnO薄膜特性[J]. 何建廷,魏芹芹,楊淑連,王雅靜.  山東理工大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版). 2019(04)
[2]ZnO薄膜的制備技術(shù)與應(yīng)用領(lǐng)域[J]. 南貌.  電腦知識(shí)與技術(shù). 2013(05)
[3]ZnO薄膜材料制備技術(shù)及其應(yīng)用領(lǐng)域研究[J]. 姜明,崔傳文.  科技視界. 2012(14)
[4]脈沖激光沉積（PLD）的研究動(dòng)態(tài)與新發(fā)展[J]. 高國(guó)棉,陳長(zhǎng)樂(lè),陳釗,李譚,王永倉(cāng),金克新,趙省貴.  材料導(dǎo)報(bào). 2005(02)
[5]脈沖激光沉積（PLD）薄膜技術(shù)的研究現(xiàn)狀與展望[J]. 戢明,宋全勝,曾曉雁.  真空科學(xué)與技術(shù). 2003(01)

碩士論文
[1]藍(lán)寶石襯底上高質(zhì)量AlN材料生長(zhǎng)研究[D]. 馮超.華中科技大學(xué) 2011
[2]ZnO薄膜的溶膠凝膠法制備工藝及其性能的研究[D]. 謝學(xué)武.中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué) 2009



本文編號(hào)：3087159