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地磁場下微通道板型光電倍增管性能研究

發(fā)布時間:2021-03-17 11:53
  通過基于電子學取數(shù)的測試系統(tǒng),在地磁場環(huán)境對兩種不同聚焦級結(jié)構的微通道板型光電倍增管(microchannel plate type photomultiplier tubes,MCP-PMT)進行了各項性能測試,例如單光電子譜、后脈沖、渡越時間漲落、信號上升下降時間、收集效率等。并通過改變光電倍增管與地磁場的相對位置,測得不同角度下MCP-PMT的性能,并且經(jīng)對比屏蔽磁場條件下與地磁場環(huán)境下MCP-PMT的性能,定性分析了地磁場對MCP-PMT的性能影響。 

【文章來源】:紅外技術. 2020,42(08)北大核心

【文章頁數(shù)】:5 頁

【部分圖文】:

地磁場下微通道板型光電倍增管性能研究


能量ig.3Energyr量分辨率變化resolutionvariaationF

地磁場下微通道板型光電倍增管性能研究


渡越Fig.4TTS越時間變化Svariation

地磁場下微通道板型光電倍增管性能研究


信號上g.5Signalris上升時間變化setimevariationnFi

【參考文獻】:
期刊論文
[1]Study of TTS for a 20-inch dynode PMT[J]. 廖東豪,劉宏邦,周亦雄,羅鳳姣,王志民,楊安波,徐美杭,謝萬,秦中華.  Chinese Physics C. 2017(07)

碩士論文
[1]大面積光電倍增管地磁場性能影響和壽命老化研究[D]. 王文文.南京大學 2015



本文編號:3087092

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