共源共柵級(jí)聯(lián)（Cascode）型氮化鎵（GaN）功率器件開(kāi)關(guān)過(guò)程較為復(fù)雜,其開(kāi)關(guān)過(guò)程和功率損耗直接影響器件的設(shè)計(jì)、應(yīng)用和分階段建模.由于器件封裝成模塊結(jié)構(gòu),很難對(duì)內(nèi)部器件的開(kāi)關(guān)性能進(jìn)行分析,因此利用同型號(hào)耗盡型GaN管與低壓Si MOS管搭建外部級(jí)聯(lián)型GaN功率器件,檢測(cè)雙脈沖開(kāi)關(guān)過(guò)程中低壓Si MOS管漏極電壓,從而分析耗盡型GaN管與低壓Si MOS管各自的開(kāi)關(guān)過(guò)程,以及各自的寄生參數(shù)對(duì)整管開(kāi)關(guān)特性的影響.推導(dǎo)了考慮寄生電容影響的GaN功率器件的開(kāi)關(guān)損耗計(jì)算模型.采用實(shí)際Cascode型GaN功率器件,搭建器件開(kāi)關(guān)特性測(cè)試硬件平臺(tái),研究不同驅(qū)動(dòng)網(wǎng)絡(luò)參數(shù)對(duì)開(kāi)關(guān)特性的影響規(guī)律.實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了本文分析方法的正確性. 

【文章來(lái)源】：大連海事大學(xué)學(xué)報(bào). 2020,46(02)北大核心

【文章頁(yè)數(shù)】：8 頁(yè)

【部分圖文】：

Cascode型GaN功率器件結(jié)構(gòu)

Cascode GaN靜態(tài)伏安特性曲線

圖3 雙脈沖簡(jiǎn)化等效電路

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
[1]寬禁帶功率半導(dǎo)體器件損耗研究[D]. 張寧.浙江大學(xué) 2016



本文編號(hào)：3077813