半導(dǎo)體量子點被認(rèn)為是制備量子光源的最佳方案。量子點量子光源的可控性、純度、亮度、全同性和相干性都有了很大的提高,已接近于應(yīng)用水平。歸納了基于半導(dǎo)體量子點的量子光源研究進(jìn)展中的關(guān)鍵問題,指出了半導(dǎo)體量子點量子光源在3個方面的主要進(jìn)展,并討論了關(guān)鍵制備技術(shù),即半導(dǎo)體量子點作為單光子光源,實現(xiàn)了高全同性、高純度、高收集效率等特性;通過降低精細(xì)結(jié)構(gòu)分裂效應(yīng)等措施,量子點量子光源實現(xiàn)了具有高比特率、高保真度特性的光子糾纏;量子點量子光源與平面電子線路和納米光子系統(tǒng)的芯片集成取得了顯著成效。在此基礎(chǔ)上,對半導(dǎo)體量子點量子光源在量子信息領(lǐng)域的研究前景進(jìn)行了展望。 

【文章來源】：激光技術(shù). 2020,44(05)北大核心

【文章頁數(shù)】：12 頁

【部分圖文】：

SOMASCHI等人制造的電控單光子源[32]

HUBER等人的研究[93]

LI等人研究的多層超材料納米結(jié)構(gòu)[50]


本文編號：3077793