作為第三代半導體器件,AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)器件以其高擊穿場強、高電子飽和速度以及高二維電子氣（2DEG）密度而引起人們的廣泛興趣。相比于傳統(tǒng)的Si基器件,AlGaN/GaN器件在功率密度、開關(guān)速度、工作溫度以及封裝尺寸等方面具有明顯的優(yōu)勢。其中AlGaN/GaN橫向二極管是目前GaN功率開關(guān)器件的研究熱點,仿真則是研究器件物理特性的重要工具。本文以仿真的形式分別從陽極結(jié)構(gòu)和陰極結(jié)構(gòu)兩方面對AlGaN/GaN橫向二極管提出創(chuàng)新,提出了混合陽極AlGaN/GaN恒流二極管結(jié)構(gòu)和三維鰭柵型混合陽極薄勢壘AlGaN/GaN二極管結(jié)構(gòu),不僅優(yōu)化了AlGaN/GaN橫向二極管的開啟電壓和擊穿電壓等傳統(tǒng)性能,還拓寬了其應用范圍,本文主要內(nèi)容如下:（1）首先介紹了TCAD仿真軟件和仿真所用的基本理論,對凹槽柵型的AlGaN/GaN橫向二極管進行建模,明確物理模型及結(jié)構(gòu)參數(shù),將仿真結(jié)果與實際實驗結(jié)果相對比,驗證仿真方案的正確性和可行性。（2）改變凹槽柵型AlGaN/GaN橫向二極管的陰極結(jié)構(gòu),使其具有恒流作用。隨后分別從混合陽極對器件導通特性的控制和陰極場板帶來的恒流功能兩方面闡述了器件的工作原理與... 

【文章來源】：電子科技大學四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：78 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

顯示了 Si，GaAs，

Si，GaAs，InN，SiC，GaN和Diamond/AlN與溫度相關(guān)的ni[8,9]

GaN材料的兩種晶體結(jié)構(gòu)


本文編號：3074168