金屬-無機半導體-金屬光電探測器的研究進展
發(fā)布時間:2021-03-08 02:35
金屬-半導體-金屬光電探測器(MSM-PDs)本身固有的高速、高響應率、易集成等特性使其在光纖通信、傳感、制導等多個領域受到廣泛關注。文中圍繞金屬-無機半導體-金屬光電探測器展開綜述。首先介紹了MSM-PDs的基本結構,包含共面和垂直兩種類型。緊接著,介紹了MSM-PDs具體的工作原理,除了常見的光電導型及肖特基型工作原理,還介紹了以金屬作為吸光層的熱載流子光電探測器的工作原理。隨后,詳細介紹了以GaAs、InGaAs、Si/Ge等無機材料作為半導體層的MSM-PDs在過去所取得的研究進展。此外,還介紹了利用金屬微納結構拓展較寬帶隙半導體材料MSM-PDs在紅外波段響應特性的研究進展。最后,總結全文并對MSM-PDs未來的發(fā)展做出了展望。
【文章來源】:紅外與激光工程. 2020,49(08)北大核心
【文章頁數】:19 頁
【參考文獻】:
期刊論文
[1]激光測距中APD陣列探測信噪比分析[J]. 薛莉,翟東升,李祝蓮,李語強,熊耀恒,李明. 紅外與激光工程. 2017(03)
[2]InGaAs-MSM光電探測器設計與仿真研究[J]. 李勇,李剛,沈洪斌,鐘文忠,李亮. 應用光學. 2016(05)
[3]基于硅與鍺材料的改進集成雪崩光電二極管(英文)[J]. 魏佳童,陳立偉,胡海帆,劉志遠. 紅外與激光工程. 2016(S1)
[4]可見光拓展InP/InGaAs寬光譜紅外探測器[J]. 史衍麗,郭騫,李龍,鄧功榮,楊紹培,范明國,劉文波. 紅外與激光工程. 2015(11)
[5]非對稱面電極硅基鍺金屬-半導體-金屬光電探測器的設計[J]. 張詩雨,洪霞,方旭,葉輝. 光電工程. 2015(01)
[6]InGaAs/Si雪崩光電二極管[J]. 宋海蘭,黃輝,崔海林,黃永清,任曉敏. 半導體光電. 2010(05)
[7]PIN結光電二極管的工藝原理和制造[J]. 張健亮,陳康民. 中國集成電路. 2004(09)
[8]用InGaAs材料制作的2.6μm光電探測器[J]. 潘青. 半導體光電. 1999(02)
[9]GaAs MSM光電探測器暗電流特性[J]. 王慶康,馮勝. 半導體光電. 1995(04)
[10]長波長低暗電流高速In0.53Ga0.47As MSM光電探測器[J]. 史常忻,K.Heime. 半導體學報. 1991(12)
本文編號:3070261
【文章來源】:紅外與激光工程. 2020,49(08)北大核心
【文章頁數】:19 頁
【參考文獻】:
期刊論文
[1]激光測距中APD陣列探測信噪比分析[J]. 薛莉,翟東升,李祝蓮,李語強,熊耀恒,李明. 紅外與激光工程. 2017(03)
[2]InGaAs-MSM光電探測器設計與仿真研究[J]. 李勇,李剛,沈洪斌,鐘文忠,李亮. 應用光學. 2016(05)
[3]基于硅與鍺材料的改進集成雪崩光電二極管(英文)[J]. 魏佳童,陳立偉,胡海帆,劉志遠. 紅外與激光工程. 2016(S1)
[4]可見光拓展InP/InGaAs寬光譜紅外探測器[J]. 史衍麗,郭騫,李龍,鄧功榮,楊紹培,范明國,劉文波. 紅外與激光工程. 2015(11)
[5]非對稱面電極硅基鍺金屬-半導體-金屬光電探測器的設計[J]. 張詩雨,洪霞,方旭,葉輝. 光電工程. 2015(01)
[6]InGaAs/Si雪崩光電二極管[J]. 宋海蘭,黃輝,崔海林,黃永清,任曉敏. 半導體光電. 2010(05)
[7]PIN結光電二極管的工藝原理和制造[J]. 張健亮,陳康民. 中國集成電路. 2004(09)
[8]用InGaAs材料制作的2.6μm光電探測器[J]. 潘青. 半導體光電. 1999(02)
[9]GaAs MSM光電探測器暗電流特性[J]. 王慶康,馮勝. 半導體光電. 1995(04)
[10]長波長低暗電流高速In0.53Ga0.47As MSM光電探測器[J]. 史常忻,K.Heime. 半導體學報. 1991(12)
本文編號:3070261
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