隨著電子器件、印制電路等領(lǐng)域的發(fā)展,要求設(shè)備小型化、高功率化,要求材料高絕緣、易加工、具有較高的導(dǎo)熱率。聚芳醚腈（PEN）有著優(yōu)異的性能,如高絕緣性、高韌性、高熱穩(wěn)定性,在電子器件、航空航天領(lǐng)域有著巨大的應(yīng)用前景。但PEN低導(dǎo)熱率、較高的熱膨脹系數(shù),不能直接滿足各行業(yè)的需求。而導(dǎo)熱高分子復(fù)合材料能獲得新的優(yōu)異性能,充分發(fā)揮高分子材料的優(yōu)勢。六方氮化硼（h-BN）是新型的二維絕緣材料,具有高導(dǎo)熱率、高絕緣等性質(zhì),是近年絕緣高導(dǎo)熱材料研究重點(diǎn)。但未經(jīng)過改性處理的氮化硼在高分子基體中分散不均勻,與基體界面相容性差,直接影響復(fù)合材料的性能,所以對氮化硼進(jìn)行表面改性至關(guān)重要。首先,本文合成鄰苯二甲腈封端的聚芳醚腈作為基體材料。合成水溶性磺化聚芳醚腈（SPEN）作為h-BN的表面改性劑,利用超聲分散和后處理的方法,制備BN@SPEN核殼結(jié)構(gòu)填料。將該填料加入到封端聚芳醚腈基體中,通過溶液流延成膜法制備復(fù)合薄膜。利用DMA測試驗(yàn)證了復(fù)合薄膜具有低熱膨脹系數(shù),高尺寸穩(wěn)定性。通過導(dǎo)熱測試發(fā)現(xiàn),復(fù)合薄膜的導(dǎo)熱率明顯上升,當(dāng)BN@SPEN填料為20wt%時,復(fù)合薄膜的導(dǎo)熱率達(dá)0.69 W/（m·K）,是純膜... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：85 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

部分代表結(jié)構(gòu)的聚芳醚腈

PEN-ID300的結(jié)構(gòu)示意圖

六方氮化硼結(jié)構(gòu)示意圖


本文編號：3070125