在近幾十年來,信息技術(shù)一直遵循著摩爾定律,即在一個芯片上的晶體管數(shù)目每兩年增長一倍,但是傳統(tǒng)的電子器件由于量子效應(yīng)和熱效應(yīng)的存在達(dá)到了極限。而伴隨著納米技術(shù)的進(jìn)步,自旋電子學(xué)將有可能確保摩爾定律在未來的實現(xiàn)。在自旋電子學(xué)中,在一個電路中起作用的并不僅僅是電荷電流,還有電子本身的自旋狀態(tài)。自旋量子器件則被認(rèn)為有可能實現(xiàn)在數(shù)據(jù)存儲和處理中的高靈活性、高穩(wěn)定性和低能耗性,而且自旋電子器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于高密度數(shù)據(jù)存儲、磁傳感器以及量子計算機(jī)等諸多領(lǐng)域。而在新一代自旋電子學(xué)的發(fā)展中,鐵磁材料/半導(dǎo)體材料異質(zhì)結(jié)構(gòu)的研究占據(jù)了重要位置。就目前已有的研究來說,絕大部分工作是將分子束外延生長與各種納米制造技術(shù)結(jié)合,對諸如：1.在鐵磁/半導(dǎo)體界面引入超薄過渡層,調(diào)節(jié)勢壘高度,提高自旋注入效率；2.材料的尺寸效應(yīng)對自旋相干長度的影響；3.半導(dǎo)體表面重構(gòu)對外延磁性薄膜的晶體對稱性及其磁性的影響；4.電控磁技術(shù)在鐵磁/半導(dǎo)體磁性隧道結(jié)中的實現(xiàn)；5.光場對自旋的調(diào)控等熱點領(lǐng)域進(jìn)行研究,并取得了豐碩的成果。本文的主要創(chuàng)新點在于：采用了磁控濺射技術(shù),分別在GaN襯底和InAs襯底上生長非晶鐵磁性薄膜CoFeB,使得... 

【文章來源】：南京大學(xué)江蘇省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第1章 緒論
    1.1 引言
    1.2 鐵磁/半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)研究現(xiàn)狀
    1.3 本論文應(yīng)用材料性質(zhì)
        1.3.1 非晶鐵磁性材料鈷鐵硼
        1.3.2 氮化鎵襯底
        1.3.3 砷化銦襯底
    1.4 本論文工作
    參考文獻(xiàn)
第2章 實驗儀器及測試原理
    2.1 引言
    2.2 磁控濺射儀
        2.2.1 直流磁控濺射法
        2.2.2 中頻磁控濺射法
        2.2.3 射頻磁控濺射法
        2.2.4 本論文使用儀器
    2.3 原子力顯微鏡
    2.4 振動樣品磁強(qiáng)計
    2.5 輸運測量系統(tǒng)
    參考文獻(xiàn)
第3章 CoFeB/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)性質(zhì)研究
    3.1 引言
    3.2 樣品制備
    3.3 樣品測量結(jié)果與分析
        3.3.1 樣品表面形貌表征與分析
        3.3.2 樣品磁學(xué)性能測量與分析
        3.3.3 探究性比較實驗
    3.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
第4章 CoFeB/InAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)性質(zhì)研究
    4.1 引言
    4.2 樣品制備
        4.2.1 樣品表面酸處理條件摸索
        4.2.2 樣品制備流程
    4.3 樣品測量結(jié)果與分析
        4.3.1 樣品表面形貌表征與分析
        4.3.2 樣品磁學(xué)性能分析
        4.3.3 樣品電學(xué)性能分析
    4.4 本章小結(jié)
    參考文獻(xiàn)
論文工作總結(jié)和展望
碩士期間學(xué)術(shù)成果
致謝


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]InAs單晶襯底的表面形貌和化學(xué)成分分析[J]. 胡煒杰,趙有文,段滿龍,王應(yīng)利,王俊.  人工晶體學(xué)報. 2010(04)



本文編號：3055874