利用ANSYS HFSS軟件建立硅通孔（Through Silicon Via,TSV）的信號(hào)-地（S-G）結(jié)構(gòu)模型,在不同TSV的結(jié)構(gòu)參數(shù)下對(duì)TSV信號(hào)的傳輸特性進(jìn)行研究,將傳輸模型的插入損耗S₂₁作為傳輸性能好壞的判斷標(biāo)準(zhǔn)。結(jié)果表明:TSV的傳輸性能與TSV的半徑、TSV的高度以及填充金屬的表面積有關(guān),與體積無關(guān),即金屬材料的填充率對(duì)插入損耗幾乎沒有影響。 

【文章來源】：電子元件與材料. 2020,39(11)北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【部分圖文】：

四種TSV模型的結(jié)構(gòu)模型圖

襯底厚度決定TSV高度,電路中其他元件的尺寸隨TSV高度的改變而改變,因此TSV高度對(duì)傳輸性能的影響不容忽視。實(shí)驗(yàn)中保持TSV半徑和絕緣層厚度不變,將TSV高度由50 μm增加到125 μm,步長(zhǎng)為25 μm,得到不同TSV高度下插入損耗隨頻率的變化趨勢(shì),如圖2所示。TSV高度增加,促使插入損耗也相應(yīng)地增大,信號(hào)傳輸性能下降,即當(dāng)TSV高度增大時(shí),有更多的信號(hào)耦合到襯底中,對(duì)信號(hào)傳輸產(chǎn)生影響。

插入損耗隨著中心導(dǎo)體半徑的增大而增大,不同半徑的同軸型TSV插入損耗隨頻率的變化趨勢(shì)和圓柱型TSV結(jié)果一致。圖4 不同中心導(dǎo)體半徑同軸型插入損耗隨頻率變化

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3037602