低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)
本文關(guān)鍵詞:低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
【摘要】:集成電路和半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來對芯片的低功耗設(shè)計(jì)提出強(qiáng)烈的需求。降低供電電壓是實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)的有效途徑之一,但低電壓下工藝波動(dòng)導(dǎo)致電路延時(shí)的不確定性增加,可靠性明顯變差。時(shí)鐘樹以一個(gè)網(wǎng)絡(luò)的形式廣泛分布在整個(gè)芯片內(nèi),時(shí)鐘延遲極易受到工藝波動(dòng)的影響。在低電壓設(shè)計(jì)時(shí)需要特別考慮時(shí)鐘樹的可靠性,避免因工藝波動(dòng)引起過大的時(shí)鐘偏差,進(jìn)而導(dǎo)致電路功能出現(xiàn)故障。在分析工藝波動(dòng)對低電壓時(shí)鐘樹影響的基礎(chǔ)上,本文設(shè)計(jì)一種適用于低電壓的抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹,該時(shí)鐘樹設(shè)計(jì)方法主要包括:1)采用寄存器群組優(yōu)化將時(shí)序相關(guān)的寄存器擺放在一起,時(shí)鐘單元集中在它們公共的時(shí)鐘樹路徑上,而工藝波動(dòng)對時(shí)鐘樹公共路徑上時(shí)鐘單元的影響不會引起額外的時(shí)鐘偏差;2)設(shè)計(jì)一種適用于低電壓的抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),使用定制的并列大驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘反相器,減少時(shí)鐘樹級數(shù)和分支,提高時(shí)鐘樹的抗工藝波動(dòng)能力;3)采用先縮后放的策略優(yōu)化時(shí)鐘樹,先縮后放即先將時(shí)鐘單元尺寸調(diào)節(jié)到最大以提高其抗工藝波動(dòng)能力,然后逐步減小部分時(shí)鐘單元的尺寸以減小時(shí)鐘偏差。該低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹的設(shè)計(jì)方法,在ISCAS89系列基準(zhǔn)電路、GPS跟蹤模塊電路和嵌入式微處理器電路上分別實(shí)現(xiàn)并進(jìn)行驗(yàn)證。0.6V下HSPICE蒙特卡洛分析的結(jié)果表明,本文的低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹設(shè)計(jì)方法,與傳統(tǒng)后端時(shí)鐘樹設(shè)計(jì)方法相比具有明顯優(yōu)勢,其中,ISCAS89系列基準(zhǔn)電路的時(shí)鐘偏差標(biāo)準(zhǔn)差平均減小41.15%,GPS跟蹤模塊電路的時(shí)鐘偏差標(biāo)準(zhǔn)差減小56.47%,嵌入式微處理器電路的時(shí)鐘偏差標(biāo)準(zhǔn)差減小42.61%。
【關(guān)鍵詞】:低電壓 抗工藝波動(dòng) 時(shí)鐘樹 物理設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號】:TN402
【目錄】:
- 摘要5-6
- Abstract6-9
- 第一章 緒論9-15
- 1.1 論文背景9-10
- 1.2 研究現(xiàn)狀10-12
- 1.3 論文主要內(nèi)容12-13
- 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)13-15
- 第二章 時(shí)鐘樹概述15-29
- 2.1 時(shí)鐘樹簡介15-21
- 2.1.1 時(shí)鐘樹的作用15-16
- 2.1.2 時(shí)鐘樹的參數(shù)16-18
- 2.1.3 時(shí)鐘樹的結(jié)構(gòu)18-21
- 2.2 時(shí)鐘樹綜合過程21-24
- 2.2.1 初始拓?fù)渖?/span>21-22
- 2.2.2 緩沖單元插入22-23
- 2.2.3 時(shí)鐘樹優(yōu)化23-24
- 2.3 低電壓的時(shí)鐘樹24-28
- 2.3.1 低電壓時(shí)鐘樹面臨的挑戰(zhàn)24-26
- 2.3.2 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹概述26-28
- 2.4 本章小結(jié)28-29
- 第三章 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)29-51
- 3.1 工藝波動(dòng)對低電壓時(shí)鐘樹的影響29-31
- 3.2 寄存器和時(shí)鐘門控的布局優(yōu)化31-39
- 3.2.1 寄存器的布局優(yōu)化31-34
- 3.2.2 時(shí)鐘門控的布局優(yōu)化34-35
- 3.2.3 布局優(yōu)化的實(shí)現(xiàn)35-39
- 3.3 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)39-45
- 3.3.1 低電壓抗工藝波動(dòng)的時(shí)鐘樹結(jié)構(gòu)39-43
- 3.3.2 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹的生成43-45
- 3.4 低電壓時(shí)鐘樹的抗工藝波動(dòng)能力優(yōu)化45-49
- 3.4.1 時(shí)鐘延遲優(yōu)化45-47
- 3.4.2 時(shí)鐘偏差優(yōu)化47-49
- 3.5 本章小結(jié)49-51
- 第四章 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹的應(yīng)用與驗(yàn)證51-61
- 4.1 實(shí)驗(yàn)環(huán)境51
- 4.2 實(shí)驗(yàn)流程51-54
- 4.2.1 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)流程51-53
- 4.2.2 對比驗(yàn)證流程53-54
- 4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與對比分析54-60
- 4.3.1 ISCAS89電路的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)據(jù)分析55-56
- 4.3.2 GPS跟蹤模塊電路的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)據(jù)分析56-57
- 4.3.3 嵌入式微處理器的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)據(jù)分析57-59
- 4.3.4 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹實(shí)驗(yàn)總結(jié)59-60
- 4.4 本章小結(jié)60-61
- 第五章 總結(jié)與展望61-63
- 5.1 總結(jié)61-62
- 5.2 展望62-63
- 致謝63-65
- 參考文獻(xiàn)65-71
- 作者簡介71
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本文編號:303401
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