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低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn)

發(fā)布時(shí)間:2017-04-13 10:46

  本文關(guān)鍵詞:低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)的設(shè)計(jì)及實(shí)現(xiàn),由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:集成電路和半導(dǎo)體工藝技術(shù)的不斷進(jìn)步,物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代的到來(lái)對(duì)芯片的低功耗設(shè)計(jì)提出強(qiáng)烈的需求。降低供電電壓是實(shí)現(xiàn)低功耗設(shè)計(jì)的有效途徑之一,但低電壓下工藝波動(dòng)導(dǎo)致電路延時(shí)的不確定性增加,可靠性明顯變差。時(shí)鐘樹(shù)以一個(gè)網(wǎng)絡(luò)的形式廣泛分布在整個(gè)芯片內(nèi),時(shí)鐘延遲極易受到工藝波動(dòng)的影響。在低電壓設(shè)計(jì)時(shí)需要特別考慮時(shí)鐘樹(shù)的可靠性,避免因工藝波動(dòng)引起過(guò)大的時(shí)鐘偏差,進(jìn)而導(dǎo)致電路功能出現(xiàn)故障。在分析工藝波動(dòng)對(duì)低電壓時(shí)鐘樹(shù)影響的基礎(chǔ)上,本文設(shè)計(jì)一種適用于低電壓的抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù),該時(shí)鐘樹(shù)設(shè)計(jì)方法主要包括:1)采用寄存器群組優(yōu)化將時(shí)序相關(guān)的寄存器擺放在一起,時(shí)鐘單元集中在它們公共的時(shí)鐘樹(shù)路徑上,而工藝波動(dòng)對(duì)時(shí)鐘樹(shù)公共路徑上時(shí)鐘單元的影響不會(huì)引起額外的時(shí)鐘偏差;2)設(shè)計(jì)一種適用于低電壓的抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),使用定制的并列大驅(qū)動(dòng)時(shí)鐘反相器,減少時(shí)鐘樹(shù)級(jí)數(shù)和分支,提高時(shí)鐘樹(shù)的抗工藝波動(dòng)能力;3)采用先縮后放的策略?xún)?yōu)化時(shí)鐘樹(shù),先縮后放即先將時(shí)鐘單元尺寸調(diào)節(jié)到最大以提高其抗工藝波動(dòng)能力,然后逐步減小部分時(shí)鐘單元的尺寸以減小時(shí)鐘偏差。該低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)的設(shè)計(jì)方法,在ISCAS89系列基準(zhǔn)電路、GPS跟蹤模塊電路和嵌入式微處理器電路上分別實(shí)現(xiàn)并進(jìn)行驗(yàn)證。0.6V下HSPICE蒙特卡洛分析的結(jié)果表明,本文的低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)設(shè)計(jì)方法,與傳統(tǒng)后端時(shí)鐘樹(shù)設(shè)計(jì)方法相比具有明顯優(yōu)勢(shì),其中,ISCAS89系列基準(zhǔn)電路的時(shí)鐘偏差標(biāo)準(zhǔn)差平均減小41.15%,GPS跟蹤模塊電路的時(shí)鐘偏差標(biāo)準(zhǔn)差減小56.47%,嵌入式微處理器電路的時(shí)鐘偏差標(biāo)準(zhǔn)差減小42.61%。
【關(guān)鍵詞】:低電壓 抗工藝波動(dòng) 時(shí)鐘樹(shù) 物理設(shè)計(jì)
【學(xué)位授予單位】:東南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類(lèi)號(hào)】:TN402
【目錄】:
  • 摘要5-6
  • Abstract6-9
  • 第一章 緒論9-15
  • 1.1 論文背景9-10
  • 1.2 研究現(xiàn)狀10-12
  • 1.3 論文主要內(nèi)容12-13
  • 1.4 論文組織結(jié)構(gòu)13-15
  • 第二章 時(shí)鐘樹(shù)概述15-29
  • 2.1 時(shí)鐘樹(shù)簡(jiǎn)介15-21
  • 2.1.1 時(shí)鐘樹(shù)的作用15-16
  • 2.1.2 時(shí)鐘樹(shù)的參數(shù)16-18
  • 2.1.3 時(shí)鐘樹(shù)的結(jié)構(gòu)18-21
  • 2.2 時(shí)鐘樹(shù)綜合過(guò)程21-24
  • 2.2.1 初始拓?fù)渖?/span>21-22
  • 2.2.2 緩沖單元插入22-23
  • 2.2.3 時(shí)鐘樹(shù)優(yōu)化23-24
  • 2.3 低電壓的時(shí)鐘樹(shù)24-28
  • 2.3.1 低電壓時(shí)鐘樹(shù)面臨的挑戰(zhàn)24-26
  • 2.3.2 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)概述26-28
  • 2.4 本章小結(jié)28-29
  • 第三章 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)29-51
  • 3.1 工藝波動(dòng)對(duì)低電壓時(shí)鐘樹(shù)的影響29-31
  • 3.2 寄存器和時(shí)鐘門(mén)控的布局優(yōu)化31-39
  • 3.2.1 寄存器的布局優(yōu)化31-34
  • 3.2.2 時(shí)鐘門(mén)控的布局優(yōu)化34-35
  • 3.2.3 布局優(yōu)化的實(shí)現(xiàn)35-39
  • 3.3 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)39-45
  • 3.3.1 低電壓抗工藝波動(dòng)的時(shí)鐘樹(shù)結(jié)構(gòu)39-43
  • 3.3.2 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)的生成43-45
  • 3.4 低電壓時(shí)鐘樹(shù)的抗工藝波動(dòng)能力優(yōu)化45-49
  • 3.4.1 時(shí)鐘延遲優(yōu)化45-47
  • 3.4.2 時(shí)鐘偏差優(yōu)化47-49
  • 3.5 本章小結(jié)49-51
  • 第四章 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)的應(yīng)用與驗(yàn)證51-61
  • 4.1 實(shí)驗(yàn)環(huán)境51
  • 4.2 實(shí)驗(yàn)流程51-54
  • 4.2.1 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)流程51-53
  • 4.2.2 對(duì)比驗(yàn)證流程53-54
  • 4.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與對(duì)比分析54-60
  • 4.3.1 ISCAS89電路的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)據(jù)分析55-56
  • 4.3.2 GPS跟蹤模塊電路的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)據(jù)分析56-57
  • 4.3.3 嵌入式微處理器的實(shí)驗(yàn)結(jié)果和數(shù)據(jù)分析57-59
  • 4.3.4 低電壓抗工藝波動(dòng)時(shí)鐘樹(shù)實(shí)驗(yàn)總結(jié)59-60
  • 4.4 本章小結(jié)60-61
  • 第五章 總結(jié)與展望61-63
  • 5.1 總結(jié)61-62
  • 5.2 展望62-63
  • 致謝63-65
  • 參考文獻(xiàn)65-71
  • 作者簡(jiǎn)介71

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本文編號(hào):303401

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