發(fā)布時間：2021-02-13 04:18

　　為了滿足高數(shù)據(jù)帶寬的硅光互聯(lián)應(yīng)用要求,高速硅光調(diào)制器的設(shè)計至關(guān)重要.本文基于IMEC的硅光子SOI工藝,提出了一種低損耗高帶寬的行波MZ調(diào)制器的驅(qū)動電極.在詳細(xì)分析了趨膚效應(yīng)、行波損耗、鄰近效應(yīng)等物理效應(yīng)對行波電極信號完整性的影響的基礎(chǔ)上,通過在行波電極上增加一定寬度的頂層金屬的方法,使MZ調(diào)制器的低頻損耗降低了13%,高頻損耗降低了5%,并使電光調(diào)制3 dB帶寬提高至28 GHz. 

【文章來源】：微電子學(xué)與計算機. 2020,37(10)北大核心

【文章頁數(shù)】：5 頁

【部分圖文】：

采用CPS傳輸線設(shè)計的MZ調(diào)制器

帶PN結(jié)負(fù)載的傳輸線電路模型

載有時變電流的矩形傳輸線

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]一種25 Gbps硅基MZ電光調(diào)制器驅(qū)動電極的設(shè)計[J]. 紀(jì)鵬飛,何衛(wèi)鋒.  微電子學(xué)與計算機. 2018(08)
[2]硅基馬赫曾德電光調(diào)制設(shè)計優(yōu)化與實現(xiàn)[J]. 周林杰,周硯揚,陸梁軍.  中興通訊技術(shù). 2017(05)



本文編號：3031960