溫度和材料參數(shù)對InAs x Sb 1-x 俄歇復(fù)合壽命影響的數(shù)值分析
發(fā)布時間:2021-02-08 17:52
工作在中長波的紅外探測器可被廣泛應(yīng)用在空間成像、軍事和通信等領(lǐng)域,銻基InAsSb材料由于其特殊的性質(zhì)是制作長波非致冷光子探測器的理想材料。俄歇復(fù)合壽命是影響探測器性能的重要因素之一,文章采用Matlab軟件模擬研究了n型和p型InAsxSb1-x材料的俄歇復(fù)合壽命隨溫度、As組分及載流子濃度的變化。對確定的As組分,可通過優(yōu)化工作溫度及載流子濃度獲得較長的俄歇復(fù)合壽命。當載流子濃度為3.2×1015 cm-3、溫度為200K時,n型InAs0.35Sb0.65的俄歇復(fù)合壽命最大為2.91×10-9 s。
【文章來源】:半導(dǎo)體光電. 2020,41(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
InAsxSb1-x材料禁帶寬度隨溫度和As組分的變化
從圖中看到,確定溫度下本征載流子濃度隨As組分的增加先增加后減小,與禁帶寬度的變化趨勢正好相反。這是由于禁帶寬度減小時,價帶上的電子更容易被激發(fā)到導(dǎo)帶上,引起本征載流子濃度的增加。InAsxSb1-x本征載流子濃度隨溫度變化明顯,在200 K時本征載流子濃度最大為7.2×1015 cm-3,而在350K時本征載流子濃度最大為1.3×1017 cm-3。2.3 n型InAsxSb1-x材料俄歇復(fù)合壽命
圖4為300K時,n型InAsxSb1-x材料俄歇復(fù)合壽命與載流子濃度和As組分的關(guān)系。從圖可以看到對確定的As組分,隨著載流子濃度的增加,俄歇復(fù)合壽命是先增加隨后減小。而當載流子濃度確定時,隨著As組分的增加,俄歇復(fù)合壽命是先減小隨后增加;當載流子濃度為3.2×1014 cm-3,As組分為1時,壽命最大為4.17×10-6 s。圖4 n型InAsxSb1-x材料俄歇復(fù)合壽命與載流子濃度和As組分的關(guān)系
【參考文獻】:
期刊論文
[1]近室溫工作的中長波InAsSb探測器[J]. 高玉竹,趙子瑞,龔秀英,魏小梅,馮彥斌,司俊杰. 光電子·激光. 2018(12)
[2]銻基高工作溫度紅外探測器研究進展[J]. 鄧功榮,趙鵬,袁俊,信思樹,龔曉霞,黎秉哲,馬啟,楊文運,普朝光. 紅外技術(shù). 2017(09)
[3]非制冷型InAsSb光探測器在8~9μm波長的性能提高[J]. 高玉竹,龔秀英,李繼軍,吳廣會,馮彥斌,Takamitsu Makino,Hirofumi Kan. 光電子·激光. 2015(05)
[4]光導(dǎo)型InAsSb紅外探測器的研制[J]. 郭軼,吳廣會,馮彥斌. 電子設(shè)計工程. 2012(18)
[5]非致冷InAsSb中長波紅外探測器研究評述[J]. 孫常鴻,胡淑紅,王奇?zhèn)?吳杰,何家玉,戴寧. 中國電子科學研究院學報. 2010(01)
本文編號:3024312
【文章來源】:半導(dǎo)體光電. 2020,41(01)北大核心
【文章頁數(shù)】:5 頁
【部分圖文】:
InAsxSb1-x材料禁帶寬度隨溫度和As組分的變化
從圖中看到,確定溫度下本征載流子濃度隨As組分的增加先增加后減小,與禁帶寬度的變化趨勢正好相反。這是由于禁帶寬度減小時,價帶上的電子更容易被激發(fā)到導(dǎo)帶上,引起本征載流子濃度的增加。InAsxSb1-x本征載流子濃度隨溫度變化明顯,在200 K時本征載流子濃度最大為7.2×1015 cm-3,而在350K時本征載流子濃度最大為1.3×1017 cm-3。2.3 n型InAsxSb1-x材料俄歇復(fù)合壽命
圖4為300K時,n型InAsxSb1-x材料俄歇復(fù)合壽命與載流子濃度和As組分的關(guān)系。從圖可以看到對確定的As組分,隨著載流子濃度的增加,俄歇復(fù)合壽命是先增加隨后減小。而當載流子濃度確定時,隨著As組分的增加,俄歇復(fù)合壽命是先減小隨后增加;當載流子濃度為3.2×1014 cm-3,As組分為1時,壽命最大為4.17×10-6 s。圖4 n型InAsxSb1-x材料俄歇復(fù)合壽命與載流子濃度和As組分的關(guān)系
【參考文獻】:
期刊論文
[1]近室溫工作的中長波InAsSb探測器[J]. 高玉竹,趙子瑞,龔秀英,魏小梅,馮彥斌,司俊杰. 光電子·激光. 2018(12)
[2]銻基高工作溫度紅外探測器研究進展[J]. 鄧功榮,趙鵬,袁俊,信思樹,龔曉霞,黎秉哲,馬啟,楊文運,普朝光. 紅外技術(shù). 2017(09)
[3]非制冷型InAsSb光探測器在8~9μm波長的性能提高[J]. 高玉竹,龔秀英,李繼軍,吳廣會,馮彥斌,Takamitsu Makino,Hirofumi Kan. 光電子·激光. 2015(05)
[4]光導(dǎo)型InAsSb紅外探測器的研制[J]. 郭軼,吳廣會,馮彥斌. 電子設(shè)計工程. 2012(18)
[5]非致冷InAsSb中長波紅外探測器研究評述[J]. 孫常鴻,胡淑紅,王奇?zhèn)?吳杰,何家玉,戴寧. 中國電子科學研究院學報. 2010(01)
本文編號:3024312
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