平面射頻感性耦合等離子體源能夠在低氣壓下產(chǎn)生高密度的等離子體,且具有無需外加磁場激勵(lì)等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片處理工藝中。此外,通過在極板表面施加一個(gè)射頻偏壓源,可以實(shí)現(xiàn)對極板表面的離子能量分布（Ion Energy Distributions,IEDs）、離子角度分布（Ion Angular Distributions,IADs）以及離子通量的獨(dú)立控制。其中,射頻偏壓源控制極板表面的IEDs和IADs,而線圈功率源控制離子通量。這些等離子體參量對等離子體輔助加工工藝具有極其重要的作用,尤其是在刻蝕工藝中,決定著刻蝕的效率以及刻蝕的剖面結(jié)構(gòu)。由于IEDs、IADs以及離子通量均受到外界放電參數(shù)（射頻偏壓功率、射頻偏壓頻率、混合氣體比例、線圈功率以及氣壓）的調(diào)制,因此本文將針對平面感性耦合等離子體,采用一個(gè)混合模型,研究外界放電參數(shù)對極板表面的IEDs和IADs的影響。在第一章中,首先介紹低溫冷等離子體的應(yīng)用背景,然后綜述目前感性耦合等離子體中極板表面的IEDs和IADs的研究現(xiàn)狀,最后提出了本文研究的目的及意義。在第二章中,詳細(xì)介紹了本文所用到的混合模型（二維流體模型、鞘層模型和離... 

【文章來源】：大連理工大學(xué)遼寧省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：60 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
1 緒論
    1.1 低溫冷等離子體技術(shù)的應(yīng)用
    1.2 ICP中極板表面離子能量和角度分布的研究現(xiàn)狀
        1.2.1 ICP中極板表面離子能量分布的研究現(xiàn)狀
        1.2.2 ICP中極板表面離子角度分布的研究現(xiàn)狀
    1.3 本文的研究內(nèi)容與安排
2 混合模型
    2.1 引言
    2.2 二維流體力學(xué)模型
        2.2.1 粒子數(shù)守恒方程
        2.2.2 動(dòng)量守恒方程
        2.2.3 能量守恒方程
        2.2.4 電磁場方程
        2.2.5 數(shù)值方法
        2.2.6 邊界條件
    2.3 鞘層模型
        2.3.1 模型介紹
        2.3.2 邊界條件
    2.4 離子蒙特卡洛模型
    2.5 本章小結(jié)
3 感性耦合Ar等離子體中極板表面的離子能量和角度分布的數(shù)值模擬研究
    3.1 引言
    3.2 模型介紹
    3.3 極板接地的情況
    3.4 極板施加偏壓的情況
    3.5 本章小結(jié)
2等離子體中極板表面的離子能量和角度分布的數(shù)值模擬研究.">4 感性耦合Ar/O₂等離子體中極板表面的離子能量和角度分布的數(shù)值模擬研究.
    4.1 引言
    4.2 偏壓極板表面等離子體密度的徑向分布
    4.3 偏壓極板表面的離子能量分布
    4.4 偏壓極板表面的離子角度分布
    4.5 實(shí)驗(yàn)診斷
        4.5.1 實(shí)驗(yàn)裝置
        4.5.2 診斷結(jié)果
    4.6 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表學(xué)術(shù)論文情況
致謝



本文編號：3008185