發(fā)布時(shí)間：2021-01-28 12:00

　　在光電探測(cè)領(lǐng)域,二維過渡金屬硫化物材料具有開關(guān)比高、載流子遷移率高等優(yōu)點(diǎn),但其吸收帶窄,且目前還無法在工業(yè)上大量的制備高質(zhì)量的二維材料。與無機(jī)的二維材料相比,有機(jī)材料的光吸收譜較寬,制備簡單。并且有機(jī)材料可以通過修飾各種官能團(tuán)來變換不同的電學(xué)和光學(xué)性質(zhì),與無機(jī)二維材料組合成異質(zhì)結(jié)可以顯著提高器件的功能性。此外,在有機(jī)導(dǎo)電聚合物的分子結(jié)構(gòu)中通常存在大量的共軛π鍵,這使得通過范德華力與二硫化鉬的相互作用形成類似于無機(jī)范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)的二維界面成為可能。在二維材料的表面上,形成有序的分子結(jié)構(gòu),利用范德華力在有機(jī)分子與二維無機(jī)材料之間形成有機(jī)-無機(jī)范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)。本文以基于二硫化鉬的光電探測(cè)器的制備和表征為研究對(duì)象,通過有機(jī)物和有機(jī)物/石墨烯兩種結(jié)構(gòu)與二硫化鉬組合形成范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器,研究器件的光電探測(cè)性能。制備器件主要采用機(jī)械剝離方法、紫外光刻、電子束光刻、熱蒸發(fā)鍍膜、等離子體刻蝕、濕法轉(zhuǎn)移石墨烯、干法轉(zhuǎn)移二硫化鉬的工藝制作器件。器件性能的主要研究結(jié)果如下:（1）二硫化鉬-有機(jī)半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)光電探測(cè)器中二硫化鉬的截止波長在808納米附近,酞菁鉛薄膜在400 nm至1000 nm具有... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：64 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

目前發(fā)現(xiàn)的二維材料分類[1]

為石墨烯結(jié)構(gòu)示意圖[2]

TMDs結(jié)構(gòu)[10-12]

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]有機(jī)-無機(jī)范德瓦爾斯異質(zhì)結(jié)界面的光電過程[J]. 付少華,秦靚,張小嫻,王瑞,唐東升,裘曉輝.  科學(xué)通報(bào). 2019(04)



本文編號(hào)：3004959